本文關(guān)鍵詞：預(yù)熱處理溫度對低溫制備Mn摻雜ZnO薄膜結(jié)構(gòu)和阻變性能的影響　出處：《兵器材料科學(xué)與工程》2015年02期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：以水合乙酸鋅、水合乙酸錳為前驅(qū)體,利用溶膠-凝膠旋涂法在p+-Si襯底上制備Mn摻雜的ZnO阻變薄膜(MZO)。研究工藝中預(yù)熱處理溫度對薄膜的微觀結(jié)構(gòu)、阻變特性的影響,分析了薄膜高阻態(tài)和低阻態(tài)的導(dǎo)電機理。結(jié)果表明:經(jīng)250、300℃預(yù)熱處理的MZO薄膜孔洞較多,而經(jīng)350℃預(yù)熱處理的MZO薄膜致密,無孔洞且呈c軸擇優(yōu)取向生長;經(jīng)不同溫度預(yù)熱處理所制備的Ag/MZO/p+-Si器件均呈雙極性的阻變特性,但經(jīng)350℃預(yù)熱處理的器件樣品具有更顯著的阻變行為和更高的高、低電阻比RHRS/RLRS(104~106);器件在高阻態(tài)的低壓區(qū)為歐姆導(dǎo)電,高阻態(tài)高壓區(qū)為肖特基發(fā)射電流傳導(dǎo),在低阻態(tài)為空間電荷限制電流(SCLC)傳導(dǎo)。
[Abstract]:Hydrated zinc acetate, manganese acetate hydrate as a precursor for preparation of Mn doped ZnO resistance film on p+-Si substrate by sol-gel spin coating method (MZO). Research on preheating temperature on the microstructure of thin film process, impact resistance change characteristics, analyzed the conductive mechanism of thin film and high resistance low resistance state. The results show that the MZO film more holes of 250300 DEG C preheating treatment, while the dense MZO films of 350 DEG C preheating, no holes and a c axis preferred orientation growth by preheating treatment at different temperatures; the prepared Ag/MZO/p+-Si device showed a bipolar resistive characteristic, but by 350 DEG C preheating device samples have significantly more resistive behavior and higher resistance than high, low RHRS/RLRS (104~106); low pressure area device in a high impedance state for ohmic conduction, high resistance to high pressure zone Schottky emission current conduction in the low resistance state for space charge limited current (SCLC ) conduction.

【作者單位】： 廣西信息材料重點實驗室桂林電子科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(51262003) 廣西信息材料重點實驗室基金(桂科能1110908-10-Z)
【分類號】：TP333
【正文快照】： 阻變存儲器(RRAM)由于比傳統(tǒng)的Flash存儲有更快的讀寫速度、更高的存儲密度、更低的功耗、更長的數(shù)據(jù)保持時間及與CMOS工藝兼容等優(yōu)點,吸引了大批的科學(xué)家進行研究,且已有大量的具有電致阻變效應(yīng)的介質(zhì)材料的報道,如Ni O[1]、Zr O2[2]、Ti O2[3]、Sr Z-r O3[4]、La1-XSrXMn O3

【參考文獻】

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【二級參考文獻】

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本文編號：1411765