本文關(guān)鍵詞：一種改善三柵分柵快閃存儲器耐久性能的方法　出處：《半導(dǎo)體技術(shù)》2015年10期 　論文類型：期刊論文

  更多相關(guān)文章： 閃存儲器 三柵分柵 F-N隧穿 耐久性 動態(tài) 擦除電壓

【摘要】：基于三柵分柵閃存在擦除操作F-N隧穿停止時界面電場恒定的特性,提出一種動態(tài)擦除電壓模型,該模型基于穩(wěn)定循環(huán)操作后浮柵電位的理念,通過實時可監(jiān)測的浮柵電位值來動態(tài)調(diào)節(jié)閃存器件擦除操作的工作電壓,提升了三柵分柵閃存器件的耐久特性。從實際監(jiān)測數(shù)據(jù)可以看出,為保持穩(wěn)定的浮柵電位,浮柵擦除操作電壓隨著編程/擦除循環(huán)次數(shù)先快速增加,并在循環(huán)10 000次后逐漸趨于飽和。相對于傳統(tǒng)的恒擦除電壓方式,通過這種新的動態(tài)擦除電壓方式,器件在經(jīng)過100 000次循環(huán)編程/擦除后閾值電壓的漂移從原始1.2 V降低為小于0.4 V,優(yōu)化了器件耐久性的工作窗口約0.8 V。
[Abstract]:This paper presents a dynamic erase voltage model based on the characteristics of constant interface electric field during erase operation of F - N tunneling . The model is based on the concept of floating gate potential after steady circulation operation , which is based on the concept of floating gate potential which can be monitored in real time . As a result , the erase operation voltage of floating gate increases rapidly with the number of programming / erase cycles . Compared with the traditional constant erase voltage mode , the threshold voltage drift decreases from the original 1.2 V to less than 0.4 V after 100 000 cycles of programming / erase , and the working window with optimized device durability is about 0.8 V .

【作者單位】： 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司;
【基金】：上海市青年科技啟明星計劃(B類)(14QB1402200)
【分類號】：TP333
【正文快照】： 0引言在被廣泛應(yīng)用于檔案存儲以前,閃存存儲器件的編程/擦除耐久性能需要得到有效的改善。在多次循環(huán)編程/擦除高電場的應(yīng)力作用下,隧穿氧化物會產(chǎn)生陷阱電荷,這些陷阱電荷反過來影響器件的工作特性[1-3],成為影響閃存存儲器可靠性的主要因素。因此,優(yōu)化存儲單元工作條件或隧

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本文編號：1409950