發(fā)布時間：2018-01-06 02:11

  本文關鍵詞：各向異性靜態(tài)隨機存儲器中的多位翻轉分析研究　出處：《原子核物理評論》2014年02期 　論文類型：期刊論文

  更多相關文章： 單粒子效應 靜態(tài)隨機存儲器 各向異性布局 多位翻轉

【摘要】：重離子實驗結果表明,具有高線性能量轉移(LET)或大角度入射的快重離子導致靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)中的多位翻轉(MBU)比例增大,甚至超過單位翻轉比例。單個離子徑跡中的電荷可以沿著徑向擴散數(shù)個微米,被臨近的靈敏區(qū)收集后引起MBU。器件靈敏區(qū)的各向異性空間布局與離子入射方向共同影響測試器件的MBU圖形特征。位線接觸點的縱向隔離導致橫向型成為主要的兩位翻轉圖形;"L"型和"田"型分別是主要的三位翻轉和四位翻轉圖形。最后,對SRAM抗MBU加固設計和實驗驗證方法進行了討論。
[Abstract]:The results of heavy ion experiments show that fast heavy ions with high linear energy transfer (LET) or large angle incidence lead to an increase in the ratio of multiposition flip mumber (MBU) in static random access memory (SRAM). The charge in a single ion track can diffuse several microns along the radial direction. The anisotropic spatial layout of the sensitive region of the device and the direction of ion incidence affect the MBU pattern characteristics of the test device. The longitudinal isolation of the contact points of the bitline leads to the transverse formation of the device. Is the main two-bit flip pattern; "L" type and "Tian" type are the main three-bit flip and four-bit flip pattern respectively. Finally, the design and experimental verification method of SRAM anti-#en1# reinforcement are discussed.
【作者單位】： 中國科學院近代物理研究所;中國科學院大學;
【基金】：國家自然科學基金資助項目(11179003,10975164)~~
【分類號】：TP333
【正文快照】： 1引言空間輻射環(huán)境中的高能重離子和質子引起的單粒子效應[1](Single Event Effects,SEEs)對航天器電子學系統(tǒng)的正常工作造成嚴重的威脅,是導致航天器工作異常和故障的主要誘因之一。多位翻轉(Multiple-Bit Upset,MBU)指單個粒子入射到存儲電路中,沉積足夠的能量,導致多個物理

【參考文獻】

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【共引文獻】

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