本文關鍵詞：適用于閃存的高速靈敏放大器　出處：《半導體技術》2016年08期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：提出了一種適用于閃存的高速靈敏放大器。該靈敏放大器刪除了位線嵌位電路,直接使用1.2 V電源供電的預充電路預充選定單元的位線到1.2 V電壓級,與傳統(tǒng)的通過位線嵌位電路嵌位的位線電壓(0.5~0.8 V)相比,不僅節(jié)省了位線電壓的穩(wěn)定時間,而且增強了讀取單元的電流窗口,進而減少感應延遲。在位線多路選擇器中使用低壓p溝道型晶體管,避免了列譯碼器中電壓級移位器的使用,結果增強了位線有效預充時間。采用90 nm閃存工藝設計,提出的靈敏放大器在2.5 V電源電壓時的讀取時間是11.2 ns,相對于傳統(tǒng)的結構,單個靈敏放大器的讀取速度被優(yōu)化了約20%。
[Abstract]:A method is presented for the flash speed sensitive amplifier. The amplifier removes the bit line clamping circuit, a bit line precharge circuit of pre charge directly using a 1.2 V power supply unit selected to 1.2 V voltage level, and the traditional clamping circuit block bit by bit line line voltage (0.5~0.8 V) compared to not only save the bit line voltage stability time, enhances the current window reading unit and then reduce the induction delay. Using low voltage P channel transistor bit line multiplexer, avoiding the use of voltage level shift is the result of a column decoder, enhanced bit line precharge time. By effectively 90 nm flash technology design, read time sensitive amplifier proposed in 2.5 V supply voltage is 11.2 ns, compared with the traditional structure, the read speed of single sense amplifier is optimized by about 20%.

【作者單位】： 上海電機學院電子信息學院;上海大學機電工程與自動化學院;
【基金】：國家自然科學基金資助項目(61376028) 上海市科委智能制造及先進材料領域資助項目(13111104600)
【分類號】：TN722;TP333
【正文快照】： 0引言近年來,閃存由于讀取速度高和功耗低已經廣泛用于快速發(fā)展的通信、消費類電子產品等領域。隨著電子設備功能的增多和人們生活節(jié)奏的加快,人們對不同產品的高速操作的需求不斷增加。因此,作為決定電子產品等速度的關鍵非易失性存儲器也必須不斷提高自身的讀取速度[1]。閃，

本文編號：1383181