本文關(guān)鍵詞：基于NVDIMM的非易失性內(nèi)存系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)　出處：《東南大學(xué)》2016年碩士論文　論文類型：學(xué)位論文

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【摘要】：眾所周知,普通內(nèi)存在系統(tǒng)斷電后,數(shù)據(jù)將會(huì)消失,還沒有來得及保存到硬盤的數(shù)據(jù)文檔將會(huì)隨之丟失,之前的勞動(dòng)成果便不復(fù)存在,因此有必要設(shè)計(jì)另一種內(nèi)存來解決數(shù)據(jù)丟失的問題。為了解決數(shù)據(jù)丟失的問題,主要是能夠在系統(tǒng)斷電后依然可以提供電力,系統(tǒng)可以繼續(xù)工作,但是普通備用電源的供電時(shí)間畢竟有限,無法達(dá)到永久保存的目的。因此需要設(shè)計(jì)一種非易失性的內(nèi)存系統(tǒng),’它能在系統(tǒng)異常斷電后將存放在SDRAM里的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)存到一種非易失性芯片上,同樣在系統(tǒng)恢復(fù)電力后還原SDRAM斷電的數(shù)據(jù)。這樣的系統(tǒng)只需要短時(shí)間的供電就能達(dá)到永久保存的目的。本文介紹了非易失性內(nèi)存系統(tǒng)開發(fā)的背景知識(shí)包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的分類和讀寫操作,閃存芯片的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)和讀寫操作,以及超級(jí)電容充放電等特點(diǎn)。通過對(duì)基礎(chǔ)知識(shí)的分析和研究,最終設(shè)計(jì)出超級(jí)非易失性內(nèi)存系統(tǒng)。該系統(tǒng)主要是由動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,閃存芯片,超級(jí)電容包和微處理器四部分組成。在系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí),非易失性內(nèi)存表現(xiàn)為普通SDRAM它不但繼承了普通SDRAM速度快,隨機(jī)讀寫等特點(diǎn),并在此基礎(chǔ)上還增加了新的功能。它能夠在系統(tǒng)異常斷電后,可以通過超級(jí)電容供電就能夠迅速將內(nèi)存數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到閃存中。當(dāng)系統(tǒng)恢復(fù)電力后,超級(jí)內(nèi)存又能完整無缺將存放在閃存里的數(shù)據(jù)恢復(fù)到隨機(jī)存儲(chǔ)器里,系統(tǒng)瞬間恢復(fù)至斷電前的工作狀態(tài)繼續(xù)工作,從而達(dá)到了斷電保護(hù)隨機(jī)存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)目的。本文將重點(diǎn)介紹如何設(shè)計(jì)超級(jí)電容包模塊,系統(tǒng)升級(jí)模塊,以及數(shù)據(jù)備份和恢復(fù)模塊。最后通過測(cè)試和記錄大量數(shù)據(jù)驗(yàn)證了所設(shè)計(jì)模塊的正確性,確定所設(shè)計(jì)內(nèi)存達(dá)到了非易失性的目的。對(duì)以后同類產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和開發(fā)具有很大的參考意義。
【學(xué)位授予單位】：東南大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號(hào)】：TP333
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本文編號(hào)：1326946