本文關(guān)鍵詞：應(yīng)用于超低電壓下的SRAM存儲單元設(shè)計(jì)

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【摘要】：提出一種能夠工作在低電壓下的SRAM存儲單元,單元采用8T結(jié)構(gòu),在傳統(tǒng)6T結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上增加兩個(gè)串聯(lián)的NMOS構(gòu)成讀出端口,傳統(tǒng)6T結(jié)構(gòu)中背靠背反相器采用高閾值晶體管.采用Smic130nm工藝仿真結(jié)果顯示,提出的8T結(jié)構(gòu)能夠在最低0.3V下正常操作,單元的讀寫噪聲容限,保持噪聲容限,相比傳統(tǒng)6管結(jié)構(gòu)顯著提升,并且低電壓下靜態(tài)功耗方面均比傳統(tǒng)6管結(jié)構(gòu)降低60%~70%.
【作者單位】： 中國科學(xué)院微電子研究所;
【基金】：中國科學(xué)院戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專項(xiàng)極低功耗智能感知技術(shù)(XDA06020401)
【分類號】：TP333
【正文快照】： 1引言近年來隨著無線傳感網(wǎng)絡(luò),健康醫(yī)療電子,可穿戴設(shè)備等應(yīng)用的興起,對集成電路功耗的要求越來越高,功耗成為設(shè)計(jì)的關(guān)鍵[1].對于各種應(yīng)用下的SOC,嵌入式存儲器占據(jù)了很大一部分面積和功耗,尤其是嵌入式靜態(tài)隨機(jī)存儲器(Static Randommemory),因此,設(shè)計(jì)出一款低功耗SRAM尤其重

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