本文關(guān)鍵詞：基于溫度的DRAM刷新時鐘產(chǎn)生電路設(shè)計

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【摘要】：隨著集成電路和微電子技術(shù)的迅速發(fā)展,高性能處理器對嵌入式存儲系統(tǒng)提出了更高的要求,高的記憶密度、低功耗、高速度、低成本是今后存儲器的發(fā)展方向,如何提高存儲器的集成度,降低刷新功耗仍然是目前研究的熱點。 本論文針對上述問題,提出了一種真正意義上的基于溫度的存儲器自適應(yīng)刷新方案。論文針對傳統(tǒng)存儲器刷新電路的不足,指出設(shè)計具有溫度白適應(yīng)刷新電路的必要性。以2T核心存儲單元為對象,針對溫度升高,漏電流增大,信息保持時間縮短的特點,結(jié)合現(xiàn)有基于溫度傳感器刷新的特點,充分考慮面積、功耗、工藝等性能之間的各種約束,緊緊圍繞“溫度-電壓-刷新頻率”之間的關(guān)系,提出了在存儲陣列中加入與溫度相關(guān)的PTAT冗余單元作為溫度傳感監(jiān)測單元,研究了具有線性度好、占用面積小、與MOS工藝兼容、實時性強的溫度監(jiān)測傳感電路。 本著振蕩源的頻率要具有隨溫度變化的要求,詳細分析了改變環(huán)形壓控振蕩器頻率的方法,選擇了電流饑餓型環(huán)形壓控振蕩器電路,以溫度監(jiān)測傳感電路的輸出電壓作為控制電壓,設(shè)計了基于溫度的DRAM刷新時鐘產(chǎn)生電路。 本文是基于AMI0.6微米標準CMOS工藝設(shè)計的,仿真測試結(jié)果表明,設(shè)計的振蕩電路符合DRAM刷新要求。
【學(xué)位授予單位】：西南交通大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2014
【分類號】：TP333;TN432

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本文編號：1202630