發(fā)布時(shí)間：2017-10-26 01:16

  本文關(guān)鍵詞：低速信號(hào)在傳輸線負(fù)載上的精確時(shí)序測量方法

  更多相關(guān)文章： 自動(dòng)測試設(shè)備 低速信號(hào) 傳輸線 RLC 測量誤差

【摘要】：為了解決具有低速輸出信號(hào)的存儲(chǔ)器產(chǎn)品在帶有傳輸線負(fù)載的自動(dòng)測試設(shè)備(ATE)上進(jìn)行讀時(shí)序參數(shù)測量時(shí)而出現(xiàn)的超出允許范圍的測試誤差,一個(gè)基于傳輸線理論和RC,RLC電路模型的測試方法被推導(dǎo)并實(shí)現(xiàn)以達(dá)到在自動(dòng)測試設(shè)備上的高精度測試。通過將自動(dòng)測試設(shè)備IO輸出負(fù)載從傳輸線模型轉(zhuǎn)化為等效電容負(fù)載模型的方法,并利用RC,電流源,RLC電路模型進(jìn)一步推導(dǎo)IO輸出信號(hào)在不同等效電容負(fù)載下的輸出電壓與時(shí)序關(guān)系,從而證明在自動(dòng)測試設(shè)備的傳輸線負(fù)載條件下,始終存在一個(gè)IO電平判斷閾值,使得當(dāng)測試設(shè)備使用該閾值判斷信號(hào)輸出’1’,’0’而測得的時(shí)序與在標(biāo)準(zhǔn)測試條件下測試的結(jié)果一致,且測試誤差可以接受。該閾值與供電電壓之比只與自動(dòng)測試設(shè)備的負(fù)載和測試標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載有關(guān),且與被測芯片的輸出阻抗,環(huán)境溫度和不同芯片的時(shí)序性能等影響無關(guān)。仿真和芯片實(shí)驗(yàn)結(jié)果與理論吻合,基于該方法的測試結(jié)果顯示所有被測芯片的性能結(jié)果不僅與測試標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載條件下的預(yù)期值吻合,而且保留了芯片間的性能趨勢和每個(gè)芯片由于工藝或者電路調(diào)整擾動(dòng)造成的性能影響。在不同電壓,溫度影響下,測試結(jié)果也符合預(yù)期,并和實(shí)際性能一致。在生產(chǎn)中,相比簡單的時(shí)序直接補(bǔ)償方法,此方法不會(huì)產(chǎn)生生產(chǎn)過程中的overkill和underkill,不僅滿足了生產(chǎn)測試的要求,也滿足了研發(fā)對(duì)于時(shí)序特性精確分析的需求。該算法提供了具有低速輸出信號(hào)的存儲(chǔ)器產(chǎn)品在帶有傳輸線負(fù)載的自動(dòng)測試設(shè)備上的測試能力,解決了實(shí)驗(yàn)室時(shí)序特性測試低精度和生產(chǎn)中低良品率的問題。
【關(guān)鍵詞】：自動(dòng)測試設(shè)備 低速信號(hào) 傳輸線 RLC 測量誤差
【學(xué)位授予單位】：復(fù)旦大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2014
【分類號(hào)】：TP333
【目錄】：

• 摘要4-5
• ABSTRACT5-7
• 第一章 引言7-14
• 1.1 低速信號(hào)在傳輸線上的時(shí)序測量誤差綜述7-10
• 1.2 基于傳輸線負(fù)載的自動(dòng)測試設(shè)備傳統(tǒng)讀時(shí)序測試方法及誤差分析10-14
• 第二章 文獻(xiàn)綜述14-22
• 2.1 測試設(shè)備負(fù)載的基本分析14
• 2.2 傳輸線反射信號(hào)的消除14-17
• 2.2.1 傳輸線的端接匹配14-16
• 2.2.2 傳輸線上的振鈴信號(hào)消除16-17
• 2.3 傳輸線特定條件下等效于集總電容17-19
• 2.3.1 傳輸線的電容等效17-18
• 2.3.2 基于多次反射的傳輸線介電常數(shù)的特性分析18
• 2.3.3 直接電容負(fù)載的測量18-19
• 2.4 源端輸出阻抗大于傳輸線特征阻抗下的傳輸線負(fù)載分析19-21
• 2.4.1 傳輸線負(fù)載校正19-20
• 2.4.2 帶有RC負(fù)載的傳輸線多次反射的分析20-21
• 2.5 解決方法的討論21-22
• 第三章 方法理論介紹22-37
• 3.1 非理想條件下傳輸線的電容等效22-23
• 3.2 被測芯片的輸出阻抗和輸出電流是時(shí)間的函數(shù)23-25
• 3.3 基本RC電路測試模型分析25-26
• 3.4 基于RC模型的信號(hào)電壓與電源電壓比的校準(zhǔn)26-30
• 3.5 擴(kuò)展方法：基于RC模型信號(hào)電壓與電源電壓比的非對(duì)齊校準(zhǔn)30-32
• 3.6 基于電流源模型的信號(hào)電壓與電源電壓比的校準(zhǔn)32-33
• 3.7 基于RLC過阻尼電路的信號(hào)電壓與電源電壓比的校準(zhǔn)33-36
• 3.8 理論總結(jié)36-37
• 第四章 校準(zhǔn)方法的工程應(yīng)用37-41
• 4.1 利用工程方法計(jì)算真實(shí)的B及時(shí)序分解37-39
• 4.2 基于RC模型非對(duì)齊校準(zhǔn)的工程實(shí)現(xiàn)方法39-41
• 第五章 實(shí)驗(yàn)結(jié)果和結(jié)論41-51
• 5.1 采用BGA封裝產(chǎn)品的B和TPD-TDELAY測試結(jié)果分析41-44
• 5.1.1 采用BGA封裝產(chǎn)品的β分析42-43
• 5.1.2 采用BGA封裝的產(chǎn)品3V條件下Tpd-Tdelay測試結(jié)果分析43
• 5.1.3 采用BGA封裝的產(chǎn)品1.8V條件下Tpd-Tdelay測試結(jié)果分析43-44
• 5.2 采用TSOP封裝產(chǎn)品的B和TPD-TDELAY測試結(jié)果分析44-45
• 5.3 批量測試結(jié)果的分析45-49
• 5.4 結(jié)論49-51
• 第六章 展望51-53
• 參考文獻(xiàn)53-55
• 致謝55-57

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1096354