發(fā)布時(shí)間：2017-10-21 06:09

  本文關(guān)鍵詞：三維集成阻變存儲(chǔ)器陣列的電-熱模型

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【摘要】：隨著三維集成阻變存儲(chǔ)器(Resistive Random Access Memory,RRAM)集成度的不斷提高,由焦耳熱引起的熱效應(yīng)將會(huì)嚴(yán)重影響器件的穩(wěn)定性、可靠性及壽命.因此,三維集成RRAM將面臨最大的挑戰(zhàn)是如何解決器件的熱效應(yīng)問(wèn)題,而這種熱效應(yīng)現(xiàn)象伴隨著器件特征尺寸的下降,熱量分布對(duì)于RRAM器件的影響(如能耗、熱穩(wěn)定性等)變得尤為突出.特別是隨著存儲(chǔ)單元密度的不斷提升,相鄰單元之間的距離不斷減小,鄰近單元的熱串?dāng)_將嚴(yán)重制約三維集成RRAM的發(fā)展和應(yīng)用.本文基于電-熱類比方法,建立了一種新的三維集成阻變存儲(chǔ)器陣列的電-熱緊湊模型;模型的準(zhǔn)確性通過(guò)ANSYS物理場(chǎng)仿真軟件進(jìn)行了驗(yàn)證.該模型能夠在Cadence中同時(shí)進(jìn)行陣列電學(xué)特性和熱學(xué)特性的仿真;本文提出的緊湊模型可以用于預(yù)測(cè)三維集成RRAM陣列中的熱分布狀況及分析熱串?dāng)_.
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;江蘇先進(jìn)生物與化學(xué)制造協(xié)同創(chuàng)新中心;
【關(guān)鍵詞】： 三維集成阻變存儲(chǔ)器 緊湊模型 電-熱類比
【基金】：中國(guó)科學(xué)院微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室課題基金 國(guó)家自然科學(xué)基金(編號(hào):61574166,61306117,61322408,61221004,61334007,61274091) 中國(guó)工程物理研究院微系統(tǒng)與太赫茲科學(xué)技術(shù)基金(編號(hào):CAEPMT201504)資助項(xiàng)目
【分類號(hào)】：TP333
【正文快照】： 阻變存儲(chǔ)器(RRAM)以材料的電阻可在高低阻態(tài)間實(shí)現(xiàn)可逆轉(zhuǎn)換為基礎(chǔ)[1 3].阻變存儲(chǔ)器由于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,與常規(guī)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工藝兼容性好、寫操作電流小、功耗低、與邏輯工藝兼容并具有三維(3D)堆疊海量存儲(chǔ)的能力等優(yōu)點(diǎn),受，

本文編號(hào)：1071704