本文關(guān)鍵詞：基于PCM的寫操作優(yōu)化策略研究與設(shè)計(jì)

  更多相關(guān)文章： 相變存儲(chǔ)器 PCM DRAM 3Stage-Write 寫操作 性能 壽命

【摘要】：隨著大數(shù)據(jù)、云計(jì)算的興起,計(jì)算機(jī)需要越來越大的內(nèi)存來支持大規(guī)模計(jì)算的需求。但是現(xiàn)有普遍采用的DRAM技術(shù)在發(fā)展到現(xiàn)在的22nm的程度后已經(jīng)遇到了瓶頸。DRAM的存儲(chǔ)密度難以再得到大的提升。單位體積下的DRAM容量的提升程度和大規(guī)模計(jì)算對(duì)內(nèi)存需求的增長程度之間存在的矛盾越來越突出。同時(shí),大量DRAM的使用使得其能耗問題變得更為突出。據(jù)統(tǒng)計(jì),DRAM的功耗可以占到整個(gè)服務(wù)器能耗的40%左右,其中DRAM為了保持?jǐn)?shù)據(jù)進(jìn)行刷新的靜態(tài)功耗可以占到DRAM功耗的40%以上。相變存儲(chǔ)器在讀寫速度、能耗及使用壽命上都優(yōu)于NAND Flash和機(jī)械硬盤。相變存儲(chǔ)器的讀寫速度已經(jīng)達(dá)到納秒級(jí),與傳統(tǒng)的DRAM內(nèi)存速度相當(dāng),而且比DRAM內(nèi)存的空閑功耗更低、存儲(chǔ)密度更高、抗輻射干擾。尤其是,相變存儲(chǔ)器在斷電情況下依舊能長期保存數(shù)據(jù),能夠帶來更快的系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)間。因此,具有較強(qiáng)可塑性的相變存儲(chǔ)器在未來10年內(nèi)很有可能成為替代DRAM的主存儲(chǔ)器。但PCM在擁有這些優(yōu)點(diǎn)的同時(shí)也存在著不可避免的缺點(diǎn)。PCM的每個(gè)單元的寫壽命只能達(dá)到108-1010這個(gè)級(jí)別,與DRAM可以進(jìn)行1015次的寫壽命相距較大。其次PCM的讀寫速度不同,讀操作速度和DRAM相當(dāng),但寫操作速度明顯慢于DRAM。再者,PCM雖然靜態(tài)功耗可以忽略,但寫操作的功耗是要大于DRAM的�；赑CM優(yōu)點(diǎn)與缺點(diǎn)的并存,怎樣在盡可能的發(fā)揮其優(yōu)點(diǎn)的情況下規(guī)避自身缺點(diǎn)成為PCM研究的主要內(nèi)容之一。本文針對(duì)PCM壽命,PCM的性能發(fā)面記性了優(yōu)化,綜合Flip-N-Write策略以及2Stage-Write策略的優(yōu)點(diǎn),提出了3 Stage-Write策略。3 Stage-Write策略3 Stage-Write策略在寫入操作進(jìn)行之前會(huì)先進(jìn)行一個(gè)比較,比較操作單元內(nèi)原先的數(shù)據(jù)和需要寫入的數(shù)據(jù)之間的差距,亦即海明距離。然后根據(jù)海明距離的大小決定寫入數(shù)據(jù)是否翻轉(zhuǎn),從而使得需要翻轉(zhuǎn)的數(shù)據(jù)位數(shù)較少。比較操作之后是兩階段的寫操作過程。所有的new 0-bit將在寫0階段進(jìn)行,隨后new 1-bit在寫1階段完成。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明3 Stage-Write策略可以在更少的數(shù)據(jù)位翻轉(zhuǎn)的情況下實(shí)現(xiàn)相同的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)工作,同2Stage-inv策略相比可以減少43.5%。同時(shí)3 Stage-Write策略的時(shí)間更短,相較于2Stage-inv策略可以減少16.6%。最后,寫操作耗費(fèi)能量方面可以減少34.6%。
【關(guān)鍵詞】：相變存儲(chǔ)器 PCM DRAM 3Stage-Write 寫操作 性能 壽命
【學(xué)位授予單位】：山東大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：TP333
【目錄】：

• 摘要8-10
• ABSTRACT10-12
• 第1章 緒論12-18
• 1.1 背景介紹12-13
• 1.2 研究現(xiàn)狀13-16
• 1.2.1 相變存儲(chǔ)器產(chǎn)品13-14
• 1.2.2 基于PCM的非易失性主存研究14-16
• 1.3 研究意義16-17
• 1.4 論文組織結(jié)構(gòu)17-18
• 第2章 相關(guān)介紹18-23
• 2.1 相變存儲(chǔ)器的工作原理18-19
• 2.2 基于PCM的主存架構(gòu)19-21
• 2.2.1 混合式主存中代碼/數(shù)據(jù)靜態(tài)分布20
• 2.2.2 混合式主存中動(dòng)態(tài)內(nèi)存管理與優(yōu)化20-21
• 2.2.3 混合式主存控制器關(guān)鍵技術(shù)21
• 2.3 小結(jié)21-23
• 第3章 3Stage-Write策略23-36
• 3.1 PCM性能優(yōu)化策略介紹23-27
• 3.1.1 基于PCM自身特性的優(yōu)化23-24
• 3.1.2 通過寫操作的特性24-25
• 3.1.3 通過對(duì)寫入數(shù)據(jù)的重新編碼25-26
• 3.1.4 通過糾錯(cuò)機(jī)制26-27
• 3.2 3Stage-Write策略主要思想27-29
• 3.3 算法介紹29-30
• 3.4 實(shí)例分析30-31
• 3.5 字長對(duì)翻轉(zhuǎn)位數(shù)的影響31-32
• 3.6 性能分析及對(duì)比32-33
• 3.7 硬件實(shí)現(xiàn)33-35
• 3.8 小結(jié)35-36
• 第4章 實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)36-42
• 4.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)置36-37
• 4.2 翻轉(zhuǎn)位數(shù)對(duì)比37-39
• 4.3 寫操作時(shí)間對(duì)比39-40
• 4.4 能量消耗對(duì)比40-41
• 4.5 小結(jié)41-42
• 第5章 總結(jié)與展望42-44
• 5.1 總結(jié)42-43
• 5.2 課題展望43-44
• 參考文獻(xiàn)44-49
• 致謝49-50
• 攻讀學(xué)位期間發(fā)表的主要學(xué)術(shù)論文50-51
• 附件51

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