基于聚乙烯咔唑的非揮發(fā)型阻變存儲特性分析
發(fā)布時間:2017-10-13 21:38
本文關(guān)鍵詞:基于聚乙烯咔唑的非揮發(fā)型阻變存儲特性分析
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【摘要】:采用聚乙烯咔唑作為活性層構(gòu)建了ITO/PVK/Al的三明治結(jié)構(gòu)阻變存儲元件,并對其阻變特性進(jìn)行了測量。結(jié)果表明其具有明顯的非揮發(fā)型雙穩(wěn)態(tài)阻變特性,具有WORM存儲特性。該元件具有良好的數(shù)據(jù)保持能力和耐久能力,開關(guān)態(tài)電流比可達(dá)103,且具有較低的閾值轉(zhuǎn)換電壓。分別對低阻態(tài)和高阻態(tài)的載流子傳輸機(jī)制進(jìn)行了擬合,低阻態(tài)為歐姆傳導(dǎo)機(jī)制,高阻態(tài)為空間電荷限制電流發(fā)射機(jī)制。根據(jù)載流子傳輸機(jī)制,對阻變特性進(jìn)行了解釋。
【作者單位】: 齊齊哈爾大學(xué)校辦公室;齊齊哈爾大學(xué)通信與電子工程學(xué)院;電子工程黑龍江省高校重點實驗室;
【關(guān)鍵詞】: 聚乙烯咔唑 阻變特性 開關(guān)態(tài)電流比 耐久特性
【分類號】:TQ317;TP333
【正文快照】: 在過去的幾十年里,通用型半導(dǎo)體存儲器件的容量得到了大幅度的提高,體積也顯著減小。但光刻模板分辨率低及造價昂貴的問題仍然限制著半導(dǎo)體器件的發(fā)展。因此,研究新型材料來取代硅半導(dǎo)體在信息存儲領(lǐng)域的應(yīng)用具有十分重大的意義[1]。利用有機(jī)或者高分子材料制備的器件結(jié)構(gòu)簡單,
本文編號:1027222
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