本文關(guān)鍵詞：IC制造中硅片化學(xué)機(jī)械拋光材料去除機(jī)理研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

大連理工大學(xué) 博士學(xué)位論文 IC制造中硅片化學(xué)機(jī)械拋光材料去除機(jī)理研究 姓名：蘇建修 申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：博士 專(zhuān)業(yè)：機(jī)械制造及其自動(dòng)化 指導(dǎo)教師：郭東明;康仁科 座機(jī)電話(huà)號(hào)碼 大連理一[大學(xué)博士學(xué)位論文 摘 要 集成電路 IC 是信息產(chǎn)業(yè)的技術(shù)基礎(chǔ)，是推動(dòng)高新技術(shù)發(fā)展的核心驅(qū)動(dòng)力�；瘜W(xué) 機(jī)械拋光 chemicalmechanical 和局部平整度，在超大規(guī)模集成電路 ULSI 制造中，它不僅在材料制備階段用于加工 單晶硅襯底，而且也是多層布線(xiàn)金屬互連結(jié)構(gòu)工藝中理想的層間平坦化方法。目前，CMP 技術(shù)已成為ULSI時(shí)代最廣泛使用的平坦化技術(shù)。 CMP過(guò)程的精確控制在很大程度上取決于對(duì)其材料去除機(jī)理的認(rèn)識(shí)和理解，但是， 目前對(duì)CMP的材料去除機(jī)理、材料去除非均勻性形成機(jī)理、CMP過(guò)程變量和技術(shù)等方 面的許多問(wèn)題還沒(méi)有完全弄清楚，在很大程度上人們還是通過(guò)經(jīng)驗(yàn)或半經(jīng)驗(yàn)的手段控制 CMP過(guò)程。隨著芯片特征尺寸的不斷縮小和芯片集成度的不斷提高，對(duì)CMP技術(shù)提出 了更高的要求，目前的CMP技術(shù)水平已不能滿(mǎn)足下一代Ic芯片制造的工藝要求。探索 ch誣機(jī)理是提高CMP技術(shù)水平的重要基礎(chǔ)研究工作。 本文從接觸、摩擦、磨損、磨粒運(yùn)動(dòng)軌跡方面對(duì)硅片化學(xué)機(jī)械拋光材料去除機(jī)理進(jìn) 行細(xì)致研究，主要研究工作如下： 1 根據(jù)摩擦和磨損理論，提出了硅片與拋光墊之間的接觸形式判別方法，研究 了CMP過(guò)程中硅片表面材料摩擦和磨損行為，結(jié)果表明：硅片與拋光墊的接觸形式是 實(shí)體接觸，，拋光壓力完全由拋光墊微凸峰承擔(dān)，硅片表面的潤(rùn)滑狀態(tài)為化學(xué)邊界潤(rùn)滑。 2 根據(jù)硅片CMP特性，建立了CMP過(guò)程中作用于硅片表面的摩擦力及摩擦力 分布的理論模型，并通過(guò)實(shí)驗(yàn)證明了所建立模型的正確性。在此基礎(chǔ)上

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