本文關鍵詞：電路基板用AlN-TiN-BN復相導電陶瓷的制備及性能研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：以微米TiN、AlN以及BN為主要原料,以微米B_4C、納米Si粉以及微米Y_2O_3為添加劑,在N_2氣氛保護下熱壓燒結制備了AlN-TiN-BN復相導電陶瓷。測試和分析了燒結樣品的相對密度、彎曲強度、斷裂韌性、硬度值以及導電性能。結果表明,最佳的導電陶瓷配比中微米Ti N添加量(wt%)為40%,微米Al N添加量為30%,微米BN為15%。當燒結溫度為1800℃時,樣品性能最佳,其相對密度為95.7%,彎曲強度為415.3 MPa,斷裂韌性為5.54 MPa·m~(1/2),維氏硬度為HRA 83.1,電阻率值為781.5μΩ·cm。
【作者單位】： 貴州建設職業(yè)技術學院;山東理工大學;
【關鍵詞】： 電路基板 熱壓燒結 力學性能 導電性能 導電通道
【分類號】：TQ174.1
【正文快照】： 0引言隨著經濟的發(fā)展,電子產品如今已經應用于各行各業(yè)。目前,我國將智能化制造列入了國家“十三五”規(guī)劃文件中,智能制造的核心是集成電路產品,它包含了成千上萬個電子部件[1-3]。在實際應用中,要讓各個電子元器件不相互干擾,必須在集成電路板上使上使用高性能的材料[3-7]。

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  本文關鍵詞：電路基板用AlN-TiN-BN復相導電陶瓷的制備及性能研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號：492190