電路基板用AlN-TiN-BN復(fù)相導(dǎo)電陶瓷的制備及性能研究
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【摘要】:以微米TiN、AlN以及BN為主要原料,以微米B_4C、納米Si粉以及微米Y_2O_3為添加劑,在N_2氣氛保護(hù)下熱壓燒結(jié)制備了AlN-TiN-BN復(fù)相導(dǎo)電陶瓷。測(cè)試和分析了燒結(jié)樣品的相對(duì)密度、彎曲強(qiáng)度、斷裂韌性、硬度值以及導(dǎo)電性能。結(jié)果表明,最佳的導(dǎo)電陶瓷配比中微米Ti N添加量(wt%)為40%,微米Al N添加量為30%,微米BN為15%。當(dāng)燒結(jié)溫度為1800℃時(shí),樣品性能最佳,其相對(duì)密度為95.7%,彎曲強(qiáng)度為415.3 MPa,斷裂韌性為5.54 MPa·m~(1/2),維氏硬度為HRA 83.1,電阻率值為781.5μΩ·cm。
【作者單位】: 貴州建設(shè)職業(yè)技術(shù)學(xué)院;山東理工大學(xué);
【關(guān)鍵詞】: 電路基板 熱壓燒結(jié) 力學(xué)性能 導(dǎo)電性能 導(dǎo)電通道
【分類(lèi)號(hào)】:TQ174.1
【正文快照】: 0引言隨著經(jīng)濟(jì)的發(fā)展,電子產(chǎn)品如今已經(jīng)應(yīng)用于各行各業(yè)。目前,我國(guó)將智能化制造列入了國(guó)家“十三五”規(guī)劃文件中,智能制造的核心是集成電路產(chǎn)品,它包含了成千上萬(wàn)個(gè)電子部件[1-3]。在實(shí)際應(yīng)用中,要讓各個(gè)電子元器件不相互干擾,必須在集成電路板上使上使用高性能的材料[3-7]。
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