應變速率對SiC拉伸行為影響的分子動力學模擬(英文)
本文關鍵詞:應變速率對SiC拉伸行為影響的分子動力學模擬(英文),由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
【摘要】:采用分子動力學方法對Si C單晶應變率敏感性及其失效機理進行了研究。模擬了室溫下不同應變速率對立方Si C單晶[001]方向的拉伸行為的影響。當應變速率在0.01~10 ps~( 1)時,拉伸強度隨應變速率的提高而增加。拉伸過程中Si C晶體發(fā)生非晶轉(zhuǎn)變導致強度提高。當應變率低于0.01 ps~( 1)時,晶體在(111)面上發(fā)生破壞,強度趨于71.4 GPa。應變率大于10 ps~( 1)時,晶體強度達到243 GPa,并未發(fā)生非晶轉(zhuǎn)變。
【作者單位】: 哈爾濱工業(yè)大學復合材料與結(jié)構(gòu)研究所;
【關鍵詞】: 碳化硅 應變率 拉伸行為 分子動力學
【基金】:國家自然科學基金委創(chuàng)新群體項目(11121061、11474136)
【分類號】:TQ163.4
【正文快照】: QIN Liyuan,MENG Songhe,LI Jinping,TIAN Shuang(Center for Composite Materials and Structure,Harbin Institute of Technology,Harbin 150080,China)1 IntroductionSilicon carbide(Si C)is a high-temperature ceramicmaterial for the use of electronic or optoelectr
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本文關鍵詞:應變速率對SiC拉伸行為影響的分子動力學模擬(英文),由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
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