本文關(guān)鍵詞：退火溫度對(duì)CdSe納米薄膜的形成及光電性能影響，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：在室溫下,采用循環(huán)伏安法在ITO上沉積CdSe納米薄膜。利用X射線(xiàn)衍射儀(XRD)、場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡(FESEM)、原子力顯微鏡(AFM)、X射線(xiàn)光電子能譜分析(XPS)、紫外-可見(jiàn)(UV-VIS)分光光度計(jì)以及電化學(xué)工作站對(duì)不同溫度退火后的CdSe納米薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、形貌、光學(xué)性能、光電化學(xué)性能進(jìn)行表征和測(cè)試。結(jié)果表明,退火溫度對(duì)CdSe納米薄膜的形貌和性能起到關(guān)鍵性作用。薄膜表面平整、厚度均勻,且由呈納米顆粒狀的立方相CdSe構(gòu)成;經(jīng)退火后,CdSe納米顆粒出現(xiàn)不同程度的長(zhǎng)大現(xiàn)象,Se含量隨退火溫度的升高而減少。紫外-可見(jiàn)吸收光譜表明隨著退火溫度的升高,CdSe納米薄膜對(duì)可見(jiàn)光的吸收發(fā)生紅移,表明禁帶寬度逐漸減小,表現(xiàn)出量子尺寸效應(yīng)。通過(guò)光電流測(cè)試表明隨著退火溫度的升高,CdSe薄膜的光電響應(yīng)效應(yīng)顯著提高。
【作者單位】： 太原理工大學(xué)新材料界面科學(xué)與工程教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;太原理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;太原理工大學(xué)新材料工程技術(shù)研究中心;
【關(guān)鍵詞】： 電化學(xué)沉積 CdSe納米薄膜 退火溫度 光電響應(yīng)效應(yīng)
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(No.51402209) 山西省基礎(chǔ)研究項(xiàng)目(No.2015021075) 浙江省固態(tài)光電器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室基金(No.2013E100221502) 校青年基金(No.2013Z033)資助項(xiàng)目
【分類(lèi)號(hào)】：TQ132.44;TB383.2
【正文快照】： 0引言Ⅱ-Ⅵ族納米半導(dǎo)體材料,因其獨(dú)特的光電特性及其在光學(xué)、電學(xué)和生物學(xué)等領(lǐng)域的應(yīng)用前景而引起廣泛關(guān)注[1-3]。其中Cd Se是直接禁帶半導(dǎo)體,且其具有與太陽(yáng)光光譜中可見(jiàn)光波段相適應(yīng)的帶寬(1.73 e V)而被用于制作發(fā)光二極管(LED)[4]、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)[5]、太陽(yáng)能電池[6]

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

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本文編號(hào)：465634