電子科學(xué)技術(shù)的高速發(fā)展對(duì)功能材料的要求日趨提高,電介質(zhì)材料（如壓電材料、儲(chǔ)能材料）在電子信息領(lǐng)域占有重要位置。鉛基材料由于其優(yōu)異的性能,在壓電和儲(chǔ)能領(lǐng)域均占據(jù)主導(dǎo)地位。但是由于鉛的毒性、易揮發(fā)性,急需研發(fā)性能可與之媲美的無(wú)鉛功能陶瓷材料。在已知的無(wú)鉛功能陶瓷材料中,鈮酸銀（AgNbO₃）基陶瓷是近年來(lái)備受矚目的新型無(wú)鉛介電材料,其在壓電和反鐵電儲(chǔ)能領(lǐng)域都有一定的研究和應(yīng)用前景。AgNbO₃為鈣鈦礦結(jié)構(gòu)氧化物,其鐵電、反鐵電相的穩(wěn)定性與容差因子t(t=（R_A+R_O）/√2（R_B+R_O）有關(guān)�？梢酝ㄟ^(guò)調(diào)控容忍因子t來(lái)實(shí)現(xiàn)AgNbO₃鐵電-反鐵電相轉(zhuǎn)變�；诖怂枷�,本論文通過(guò)傳統(tǒng)固相法合成了Li⁺、Na⁺、K⁺摻雜改性、BiMnO₃復(fù)合的AgNbO₃基陶瓷樣品,研究了Li⁺、Na⁺、K

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

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圖1-1各類介電材料的P-E曲線

圖1-1各類介電材料的P-E曲線[11].1鐵電材料許多電介質(zhì)只有在電場(chǎng)作用下才會(huì)發(fā)生極化，電場(chǎng)去除后極化強(qiáng)度迅速衰減到

圖1-2AgNbO3鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，其原點(diǎn)位于(a)B位離子和(b)A位[34]

圖1-2AgNbO3鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，其原點(diǎn)位于(a)B位離子和(b)A位[3

圖1-3(a)高電場(chǎng)和(b)低電場(chǎng)的AgNbO3陶瓷的電滯回線

5圖1-3(a)高電場(chǎng)和(b)低電場(chǎng)的AgNbO3陶瓷的電滯回線[35]

圖1-4沿(a)a軸和(b)b軸觀察到的具有Pmca結(jié)構(gòu)的AgNbO3，以及沿著(c)a軸和(d)b軸觀察到的Pmc21結(jié)構(gòu)

沿(a)a軸和(b)b軸觀察到的具有Pmca結(jié)構(gòu)的AgNbO3，以及沿著(c)a軸和(d)b軸觀Pmc21結(jié)構(gòu)[36]958年，F(xiàn)rancombe和Lewis第一次對(duì)AgNbO3的結(jié)構(gòu)和性能進(jìn)行了研究600℃的溫度范圍內(nèi)的介電譜和原始單位晶胞參數(shù)表明A....

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