發(fā)布時(shí)間：2025-06-04 01:14

　　單層二硫化鎢（1L-WS₂）是一種重要的二維半導(dǎo)體材料。由于具有寬的直接帶隙和獨(dú)特的光電性能,在場效應(yīng)晶體管（FETs）、發(fā)光二極管（LED）、太陽能電池、光電晶體管、光電探測器等方面得到廣泛的應(yīng)用。碳量子點(diǎn)（CQDs）是一種新型的零維納米材料,具有高的量子產(chǎn)率和穩(wěn)定的光學(xué)性質(zhì),在醫(yī)學(xué)成像技術(shù)、環(huán)境監(jiān)測、化學(xué)分析、催化劑制備、能源開發(fā)等許多的領(lǐng)域都有較好的應(yīng)用前景。在本文中,我們首先利用氣相輸運(yùn)法（VT）制備出有硫空位缺陷的1L-WS₂,隨著缺陷密度的增加,熒光光譜發(fā)生明顯紅移。樣品在不同激光激發(fā)下,LA（M）、2LA（M）和A1'（Г）振動(dòng)模式的拉曼峰強(qiáng)度的顯示共振特性,并通過變溫?zé)晒夂屠鼫y試揭示了缺陷對(duì)激子能量和拉曼共振的重要影響。然后進(jìn)行了 CQDs和1L-WS₂之間的相互作用的研究,我們使用在500-600 nm光區(qū)域具有強(qiáng)光吸收和光致發(fā)光（PL）的CQD制備了氮化的CQD/1L-WS₂復(fù)合結(jié)構(gòu)。氮化程度不同的CQD對(duì)1L-WS₂均表現(xiàn)為p型摻雜劑,但1L-WS

【文章頁數(shù)】：90 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.2用機(jī)械剝離法制備的單層WS2

機(jī)械剝離法,就是所謂的“透明膠帶法”,已被廣泛用于通過反復(fù)剝離帶有密封的大塊石墨帶來獲得單層石墨烯片[33]。如上所述,在1966年,Frindt[34]使用這種方法將體MoS2剝離到幾個(gè)分子層（³.5nm厚）的薄片。機(jī)械剝離TMD的方法大致分為四步,首先,....

圖1.3用化學(xué)剝離法制備單層WS2的過程示意圖

化學(xué)剝離方法的明顯優(yōu)勢在于它們可以大規(guī)模生產(chǎn)少量TMD納米薄片。不幸的是,當(dāng)獲得具有大的橫向尺寸(例如:超過平方微米或甚至cm2)的少層TMD薄片時(shí),廣泛用于化學(xué)剝離的超聲處理過程對(duì)剝離的材料是有害的。此外,結(jié)晶度和剝離后的TMD納米薄片的載流子遷移率等電性能與它們的塊狀晶體是不....

圖1.4用CVD方法制備WS2的流程圖

化學(xué)氣相沉積(CVD)是用于合成各種無機(jī)納米材料(例如碳納米管[42],石墨烯[43]和BN納米結(jié)構(gòu)[44])的非常重要的方法。它與PVD技術(shù)(例如電子束沉積,濺射沉積)不同,因?yàn)榛瘜W(xué)反應(yīng)在相對(duì)高的溫度下發(fā)生。在典型的用于生長原子級(jí)TMD薄片的CVD工藝中,使用PVD(電子束沉積....

圖1.5用物理氣相輸運(yùn)法(PVT)制備單層WS2薄膜的流程圖

物理蒸汽輸送(PVT)也是生長薄層TMD納米結(jié)構(gòu)的另一種方法[45,46]。當(dāng)使用TMD粉末作為蒸發(fā)源時(shí),可以通過氣-固(VS)生長機(jī)制獲得高光學(xué)質(zhì)量單層TMD[45]。在典型的動(dòng)力學(xué)中,在玻璃舟內(nèi)的WS2粉末位于水平石英管爐的中心附近;然后將預(yù)先清潔的絕緣襯底(SiO2/Si晶....

本文編號(hào)：4049096