石墨烯的發(fā)現(xiàn)填補(bǔ)了二維材料領(lǐng)域的空白,因其特殊的原子結(jié)構(gòu),而具有優(yōu)異的電學(xué)、力學(xué)、光學(xué)等性能,一直被視為是理想的柔性電子器件材料,成為許多科研人員的研究熱點(diǎn),引起了學(xué)術(shù)界的研究熱潮。同時(shí)也推動(dòng)了其他二維材料的發(fā)現(xiàn)及制備,例如過渡金屬二硫族化物材料中研究比較成熟的二硫化鉬,由于其具有很大的帶隙,在晶體管等電子器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。近年來對于二維材料的制備工作發(fā)展迅猛,主流的制備方法包括機(jī)械剝離法、液相剝離法、化學(xué)氣相沉積法(chemical vapor deposition,CVD)等。其中化學(xué)氣相沉積法因其相對低廉的制備成本和便捷的操作等優(yōu)勢,而受到許多二維材料領(lǐng)域的研究學(xué)者的關(guān)注。但是目前化學(xué)氣相沉積法需要高溫的條件,這對于工業(yè)化生產(chǎn)二維材料來說是一個(gè)很大的限制,因此還需要進(jìn)一步發(fā)展制備方法以降低制備二維材料所需的溫度,從而滿足工業(yè)化生產(chǎn)的要求。本文通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在銅基底上制備單層石墨烯薄膜,利用等離子體增強(qiáng)技術(shù)常溫下活化反應(yīng)氣體,在較低反應(yīng)溫度下進(jìn)行化學(xué)氣相沉積形成...

【文章頁數(shù)】：89 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖4-23LDH材料分子結(jié)構(gòu)示意圖

實(shí)現(xiàn)厚度的控制。我們提出了一個(gè)假設(shè)相生長或許是制備二維鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的最合理途徑學(xué)反應(yīng)能不足以直接生成鈣鈦礦結(jié)構(gòu)氧化物如尋找能夠?qū)崿F(xiàn)液相直接生長的中間產(chǎn)物由于水熱法合成鈣鈦礦氧化物過程中會(huì)直接影響材料的形貌，化學(xué)反應(yīng)，制備鈣鈦礦鈮酸鹽前驅(qū)體可以通過液相化學(xué)反應(yīng)形成層狀結(jié)構(gòu)堿金屬含氧化....

圖４．１：電控壓電陶瓷應(yīng)變施加方式

?第四章?ＦＥ３ＧＥＴＥ２應(yīng)變調(diào)控下輸運(yùn)性質(zhì)研宄???結(jié)合我們課題組在低溫輸運(yùn)領(lǐng)域的積累和二維材料器件制備方面的經(jīng)驗(yàn)。??本章將介紹低溫環(huán)境下二維材料電學(xué)輸運(yùn)性質(zhì)的應(yīng)變調(diào)控研宄。主要包括原位??應(yīng)變施加裝置的設(shè)計(jì)和搭建、低溫柔性襯底二維材料器件的加工，以及最后將??我們的測量平臺....

圖１．１６低溫Ｑｐｌｕｓ?ＡＦＭ／ＳＴＭ及ＭＢＥ制備腔實(shí)物圖片??１３??

?第一章二維材料分類及其性質(zhì)概述???ｚｔ??４?Ｅｌｅｃｔｒｏｎ??ｆｊＶ?ｅＶ?ａｎａｌｙｚｅｒ??圖１．１５?ＡＰＲＥＳ基本原理示意圖（引自文獻(xiàn)［６１］）??圖１．１６和圖１．１７所示為本論文工作中所使用的德國Ｓｃｉｅｎｔａ?Ｏｍｉｃｒｏｎ公司商??用的低溫（ＬＴ）?Ｑｐｌ....

圖１．１５?ＡＰＲＥＳ基本原理示意圖（引自文獻(xiàn)［６１］）??

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本文編號：4026127