ZnO基熱電陶瓷的制備與研究
【文章頁數(shù)】:76 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖1-1塞貝克效應(yīng)示意圖
圖1-1塞貝克效應(yīng)示意圖Fig.1-1TheSeebeckEffect不同的導(dǎo)體材料a和b構(gòu)成電路,接觸別是T1和T2。使電路閉合,保持兩點處載流子會轉(zhuǎn)移,并且電路中會有電流產(chǎn)電勢差,電勢差△V的大小與兩接觸點公式表述為:△=(1-....
圖1-2ZT值與載流子濃度的關(guān)系圖
=0L0=(π2/3)(/)2=2.44×10-8(2/2)z常數(shù),T為熱力學(xué)溫度,是Boltzmann常數(shù)看出,電導(dǎo)率和電子熱導(dǎo)率成正比。也稱為晶格熱導(dǎo)率,其大小主要由晶體元素的,同時和材料的組成、結(jié)構(gòu)、缺陷、晶界有關(guān)引入多....
圖1-3(a)BiTe晶體結(jié)構(gòu)圖;(b)鉛基硫族化合物
ZnO基熱電材料的制備與研究導(dǎo)率的方法提高其ZT值,Poudel等通過高能球磨法制備納米結(jié)構(gòu),,熱壓后獲得373K下ZT=1.4的Bi0.4Sb1.6Te3塊體材料[33]。在P型B節(jié)Sb、Se含量和熱變形作用,調(diào)節(jié)反位缺陷濃度的調(diào)節(jié),從而優(yōu)化低晶格熱導(dǎo)率,熱....
圖1-4方鈷礦材料晶體結(jié)構(gòu)圖
下(室溫~560K)α相MgAgSb是一種很有前景的P型室溫用兩步球磨法制備了MgAg0.965Ni0.005Sb0.99粉末,通過熱壓法的塊體材料,在制備過程中引入了大量空位及反缺陷,降低溫ZT≈1,475K時ZT=1.4的熱電材料。Kraemer[43]等將Mg....
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