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一維超導(dǎo)體RbCr 3 As 3 和拓撲絕緣體Bi 1.08 Sn 0.02 Sb 0.9 Te 2 S的點接觸隧道譜研

發(fā)布時間:2024-06-05 05:50
  隨著新型超導(dǎo)體不斷涌現(xiàn),這些新材料的超導(dǎo)機理問題成為超導(dǎo)研究的重要方向,其中非電-聲子耦合的非常規(guī)超導(dǎo)機理問題是超導(dǎo)研究中的一個重要科學(xué)問題;诹孔恿W(xué)的隧道效應(yīng),人們發(fā)展出隧道結(jié)技術(shù)來研究材料費米能附近電子態(tài)密度的信息。而點接觸Andreev反射隧道譜作為探測超導(dǎo)能隙結(jié)構(gòu)的一個重要工具,被廣泛用于研究非常規(guī)超導(dǎo)的能隙函數(shù)及相關(guān)的超導(dǎo)電子配對機理。本文中,我們主要利用點接觸隧道譜這種實驗技術(shù)對一維非常規(guī)超導(dǎo)體RbCr3As3的能隙結(jié)構(gòu),以及s波超導(dǎo)體/拓撲絕緣體隧道結(jié)的性質(zhì)進行了研究,得到了一些較為重要的結(jié)果。第一章首先介紹了超導(dǎo)研究的背景,并對最近發(fā)現(xiàn)的Cr基超導(dǎo)體進行了系統(tǒng)介紹;之后對拓撲絕緣體以及Sn摻雜的Bi1.1Sb0.9Te2S這一較為純凈的拓撲絕緣體的研究背景進行了簡單介紹。第二章著重介紹點接觸(Andreev反射譜)的實驗測量原理和方法,并基于Blonder,Tinkham和Klapwijk(BTK)三人提出的理論模型對Andreev反射譜進行了理解。同時介紹...

【文章頁數(shù)】:120 頁

【學(xué)位級別】:博士

【文章目錄】:
摘要
abstract
第一章 引言
    1.1 超導(dǎo)材料研究和發(fā)展過程
        1.1.1 超導(dǎo)材料的發(fā)展和分類
        1.1.2 超導(dǎo)機理問題概述
        1.1.3 基于Cr的超導(dǎo)體系的研究
    1.2 拓撲絕緣體研究背景
        1.2.1 拓撲絕緣體的發(fā)現(xiàn)和基本物理性質(zhì)
        1.2.2 拓撲絕緣體Bi1.1Sb0.9Te2S的研究背景
    參考文獻
第二章 隧道譜的實驗原理與方法
    2.1 隧穿現(xiàn)象
        2.1.1 單粒子隧穿效應(yīng)
    2.2 Andreev反射
    2.3 Blonder-Tinkham-Klapwijk (BTK)理論
        2.3.1 BTK基本理論表述
        2.3.2 BTK理論的進一步發(fā)展
    2.4 隧道結(jié)的制備方法和測量手段
        2.4.1 隧道結(jié)的制備
        2.4.2 隧道結(jié)的測量裝置
    參考文獻
第三章 超導(dǎo)體RbCr3As3的能隙性質(zhì)研究
    3.1 RbCr3As3的研究背景
    3.2 RbCr3As3的超導(dǎo)表征和試驗方法
    3.3 RbCr3As3的點接觸Andreev反射譜結(jié)果
    3.4 RbCr3As3的掃描隧道譜結(jié)果
    3.5 分析與討論
    3.6 本章小結(jié)
    參考文獻
第四章 拓撲絕緣體Bi1.08Sn0.02Sb0.9Te2S與超導(dǎo)Nb針尖的點接觸隧道譜研究
    4.1 研究背景
    4.2 實驗方法
    4.3 實驗結(jié)果
        4.3.1 輸運和磁阻測量
        4.3.2 Nb/Bi1.08Sn0.02Sb0.9Te2S構(gòu)成的NIS結(jié)點接觸譜
        4.3.3 分析與討論
    4.4 本章小結(jié)
    參考文獻
第五章 離子液體門電壓調(diào)控技術(shù)在超導(dǎo)體上的應(yīng)用
    5.1 研究背景
    5.2 基本概念和實驗原理
    5.3 樣品制備方法
    5.4 實驗方法和結(jié)果
    5.5 本章小結(jié)
    參考文獻
第六章 全文總結(jié)
科研成果
致謝



本文編號:3989742

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