發(fā)布時(shí)間：2024-05-07 23:36

　　二維層狀材料(Two dimensional material)具有獨(dú)特的結(jié)構(gòu)特征,使其在諸多領(lǐng)域引人矚目,如能量存儲(chǔ)器件、固體潤(rùn)滑劑與催化劑等。隨著研究人員對(duì)納米級(jí)石墨烯(Graphene)的不斷深入探索,過(guò)渡金屬二硫化物(Transition-metal dichalcogenide,TMDs)作為一種新型二維材料,也逐漸步入學(xué)者們的視線。目前制備二維TMDs的方法有分子束外延法(MBE),機(jī)械剝離法,液相剝離法,鋰離子插層法,化學(xué)氣相沉積法(CVD)和水熱法等。本文選用了最具工業(yè)化前景的液相剝離法來(lái)制備二維TMDs,該方法操作簡(jiǎn)單,并且其生產(chǎn)成本也較為低廉,具有較高的工業(yè)化可能性,因此適合于二維過(guò)渡金屬硫化物的大規(guī)模生產(chǎn)。電解水制取氫是制備清潔能源的優(yōu)選之一。然而,通過(guò)電解水析氫過(guò)程需要高活性的催化劑來(lái)促進(jìn)反應(yīng)的有效進(jìn)行。在本文中,我們首先介紹了一種用于剝離過(guò)渡金屬硫化物的液相剝離方法,該方法使用十二烷基苯磺酸鈉(SDBS)為表面活性劑。SDBS中的非極性苯環(huán)可與過(guò)渡金屬硫化物牢固結(jié)合,促進(jìn)納米片在水溶液中的有效剝離。我們對(duì)其機(jī)理進(jìn)行了研究,發(fā)現(xiàn)過(guò)渡金屬硫化物納米片的剝離效率和厚...

【文章頁(yè)數(shù)】：71 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1元素周期表中過(guò)渡金屬硫化物中各元素所在位置，其中由標(biāo)亮的元素組成的硫化物其晶體結(jié)構(gòu)為層狀，而由半標(biāo)亮的元素組成的硫化物只部分為層狀結(jié)構(gòu)[14]

中國(guó)石油大學(xué)（北京）碩士專(zhuān)業(yè)學(xué)位論文-3-圖1.1元素周期表中過(guò)渡金屬硫化物中各元素所在位置，其中由標(biāo)亮的元素組成的硫化物其晶體結(jié)構(gòu)為層狀，而由半標(biāo)亮的元素組成的硫化物只部分為層狀結(jié)構(gòu)[14]Fig.1.1ThepositionofelementsofTMDsinthePerio....

圖1.2（a）TMDs結(jié)構(gòu)示意圖（以MoS2為例）；（b）TMDs三種晶胞類(lèi)型模型[16]

第1章緒論-4-圖1.2（a）TMDs結(jié)構(gòu)示意圖（以MoS2為例）；（b）TMDs三種晶胞類(lèi)型模型[16]Fig.1.2ThestructurediagramofTransition-metaldichalcogenide(a);ThreecrystalstructuresofT....

圖1.3CVD法制備過(guò)渡金屬硫化物示意圖[20]

中國(guó)石油大學(xué)（北京）碩士專(zhuān)業(yè)學(xué)位論文-5-MoSe2、WS2及WSe2納米片[21]�；瘜W(xué)氣相沉積（CVD）法操作較為簡(jiǎn)單，可控性強(qiáng)，適用于多種二維材料的剝離制備，如石墨烯、氮化硼及過(guò)渡金屬硫化物等。但使用化學(xué)氣相沉積（CVD）法制備二維材料時(shí)造價(jià)較高，產(chǎn)量較低，而且難以精確地控....

圖1.4MBE法制備的MoS2(a)、PtSe2(b)、MoSe2(c)及其微觀示意圖[26]

第1章緒論-6-生長(zhǎng)在其上的薄膜由于相互作用難以觀測(cè)及表征。而現(xiàn)階段采用MBE法制備TMDs等二維材料最為普遍的方式是在SiC等惰性襯底上制備石墨烯等二維材料。由MBE制備的二維過(guò)渡金屬硫化物納米片，可以嚴(yán)格控制生長(zhǎng)外延層的層厚和摻雜濃度，但其體系復(fù)雜，生長(zhǎng)速度較慢，生長(zhǎng)面積有限....

本文編號(hào)：3967161