水化硅酸鈣層間水吸附規(guī)律及其對(duì)分子結(jié)構(gòu)的影響
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【部分圖文】:
圖1C-S-H初始模型(電子版為彩圖)
關(guān)于C-S-H結(jié)構(gòu),學(xué)者大多建立在Tobermorite和Jennite晶體模型上,但二者與真實(shí)C-S-H的鈣硅比和密度相差甚大[11]。Pellenq等[11]根據(jù)實(shí)驗(yàn)Qn分布刪除Tobermorite模型中部分SiO2,該模型的密度以及結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)均與實(shí)驗(yàn)結(jié)果比較符合,因此,該....
圖4層間水分子位置示意圖:(a)θ=0.25;(b)θ=0.50;(c)θ=0.75;(d)θ=1.00
圖3不同覆蓋率的C-S-H的微觀(guān)結(jié)構(gòu):(a)θ=0;(b)θ=0.25;(c)θ=0.50;(d)θ=0.75;(e)θ=1.00(電子版為彩圖)圖5不同覆蓋率C-S-H晶胞的體積和密度
圖5不同覆蓋率C-S-H晶胞的體積和密度
圖4層間水分子位置示意圖:(a)θ=0.25;(b)θ=0.50;(c)θ=0.75;(d)θ=1.00C-S-H的體積變化可以應(yīng)用文獻(xiàn)[6]提出的鈣硅層間化學(xué)鍵隨水分子的填充而發(fā)生演化規(guī)律進(jìn)一步解釋。圖6是文獻(xiàn)[6]提出的層間連接示意圖。由圖6可見(jiàn),在低含水量時(shí),硅氧四面體中....
圖2各溫度下C-S-H對(duì)水分子的吸附等溫線(xiàn)(電子版為彩圖)
在溫度區(qū)間280~320K內(nèi)每隔5K模擬得到的C-S-H對(duì)水分子的吸附等溫線(xiàn)如圖2所示。由圖2可見(jiàn),當(dāng)水蒸氣壓強(qiáng)較小時(shí)吸附量呈直線(xiàn)上升,但隨著水蒸氣壓強(qiáng)不斷增大,C-S-H對(duì)水的吸附曲線(xiàn)趨近于直線(xiàn),即達(dá)到飽和狀態(tài)。300K時(shí),飽和C-S-H結(jié)構(gòu)經(jīng)過(guò)充分弛豫后密度為2.66....
本文編號(hào):3934803
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