為了探究二維材料在片上可調(diào)有源光學器件領域的應用潛力,通過干法轉(zhuǎn)印將由機械剝離法得到的高品質(zhì)單層二硒化鉬轉(zhuǎn)移到正面涂有150nm厚聚甲基丙烯酸甲酯的雙軸壓電陶瓷上,制作出可應力調(diào)控發(fā)光性質(zhì)的單層二硒化鉬光源.對雙軸壓電陶瓷施加驅(qū)動電壓,使電信號轉(zhuǎn)化為應力信號,觀察低溫下(～5K)二硒化鉬光致發(fā)光光譜中本征激子態(tài)、帶電激子態(tài)信號峰隨應力變化的規(guī)律.結(jié)果表明:在應力由拉伸應力轉(zhuǎn)變?yōu)閴簯Σ⒅饾u增大的過程中,本征激子態(tài)、帶電激子態(tài)信號峰分別出現(xiàn)了～3.8meV、～3.7meV的波長藍移.增大壓應力、拉伸應力都會導致本征激子態(tài)、帶電激子態(tài)信號峰光強線性降低.同時,與泵浦光圓極化相關的圓偏振度也隨應力變化表現(xiàn)出規(guī)律性改變.此項研究證明了應力調(diào)控與單層二硒化鉬光學性質(zhì)之間的緊密關系,為開發(fā)各類基于二維材料的片上可調(diào)有源光學器件提供支持.

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【文章目錄】：
0 引言
1 樣品制備
2 測試
3 結(jié)果分析
    3.1 應力調(diào)控單層MoSe2信號光波長偏移及發(fā)光強度
    3.2 應力調(diào)控單層MoSe2信號光圓偏振度
4 結(jié)論



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