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碳包覆鎳鉬基多級結(jié)構(gòu)材料的電解水性能及其穩(wěn)定性研究

發(fā)布時間:2024-02-27 02:19
  能源和環(huán)境是當(dāng)今世界的兩大主要議題,尋找和發(fā)展清潔能源一直是科研工作者們不懈的追求。氫能是一種清潔、高效的新能源,被視為未來社會的終極能源。在多種制氫方法中,可再生能源電解水制氫是環(huán)保、高效并最有望得到大規(guī)模應(yīng)用的方法,而目前常用的陰極鉑類催化劑和陽極釕和銥類催化劑由于成本高,穩(wěn)定性差,極大地限制了電解水工藝的發(fā)展。因此,開發(fā)一種活性和穩(wěn)定性高,價格低廉的非貴金屬電解水催化劑是當(dāng)前新能源領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。鑒于鎳鉬基析氫催化劑在非貴金屬基催化劑中出眾的本征活性,以及非金屬摻雜對催化劑穩(wěn)定性和抗腐蝕性的提升作用,本文主要采用水熱法和高溫?zé)峤夥?在基底上制備了三維自支撐的碳包覆NiMo基多級結(jié)構(gòu)材料Ni@NCNT/NiMoN/NF,本材料具有以下三大優(yōu)勢:1)該材料的多級結(jié)構(gòu)增大了比表面積,提高了空間利用率和電子傳輸效率;2)碳層的包覆保護(hù)了活性位點(diǎn)并調(diào)整了表面電子分布;3)Ni納米粒子和NiMoN雙活性位點(diǎn)提升了催化活性。在最后通過電沉積法在材料表面負(fù)載過渡金屬層狀雙氫氧化物(LDH)納米片并研究了其作為電解水催化劑的性能,具體工作如下:首先,對碳包覆NiMo基多級結(jié)構(gòu)材料的制備條件進(jìn)行了探...

【文章頁數(shù)】:111 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【部分圖文】:

圖1-2電解水裝置圖??Figure?1-2?Schematic?diagram?of?a?device?for?water?electrolysis?J13]??

圖1-2電解水裝置圖??Figure?1-2?Schematic?diagram?of?a?device?for?water?electrolysis?J13]??

?北京化丁.大學(xué)碩士學(xué)位論文???1.2電解水制氫的原理??電解水制氫的主要裝置如圖1-2所示,在電解液中放入電極,電解液一般為酸性??或者堿性,也有一些導(dǎo)電的中性電解液。通入直流電,當(dāng)電壓超過開路電壓(OCPT)??時,陽極上發(fā)生氧氣析出反應(yīng)(OER),陰極上發(fā)生氫氣析出反應(yīng)(....


圖1-3?Pt@NHPCP的合成流程示意圖??Figure?1-3?Schematic?diagram?of?the?preparation?of?Pt@NHPCP.??

圖1-3?Pt@NHPCP的合成流程示意圖??Figure?1-3?Schematic?diagram?of?the?preparation?of?Pt@NHPCP.??

昂貴,產(chǎn)量稀少,極大制約了它們的推廣使用。近年來,為了在保持甚至提高催化性??能及穩(wěn)定性的基礎(chǔ)上,減少貴金屬的用量,科學(xué)家們做了許多相關(guān)工作,主要途徑是??將通過納米技術(shù)、載體優(yōu)化、形貌調(diào)節(jié)等方式提高貴金屬分散性,增大活性面積,或??是通過插層、吸附、合金化或者核殼結(jié)構(gòu)等手段,形....


圖1-4?Pt-Co(OH)2/CC的的合成流程示意圖??

圖1-4?Pt-Co(OH)2/CC的的合成流程示意圖??

?第一章緒論???Pt表面活性氫原子的吸脫附,展現(xiàn)出優(yōu)異的催化活性。堿性條件下電流密度達(dá)到10??和100?mA?cm-2所需的過電位分別為32和122?mV。在堿性和中性條件下,催化效率??分別是商業(yè)Pt/C的4.8和2.6倍。這一催化劑展現(xiàn)了?Co(OH)2納米片與高度分散的....


圖1-7多級結(jié)構(gòu)M02C/C納米片混合物的合成示意圖??Figure?1-7?Synthetic?scheme?of?the?hierarchical?M02C/C?nanosheet?hybrids.??

圖1-7多級結(jié)構(gòu)M02C/C納米片混合物的合成示意圖??Figure?1-7?Synthetic?scheme?of?the?hierarchical?M02C/C?nanosheet?hybrids.??

學(xué)位論文???大量片狀M〇2C納米顆粒修飾,獲得的片狀M〇2C納米顆粒有望比其他納米結(jié)構(gòu)暴露??出更多的活性位點(diǎn),而碳納米片載體也可以保持優(yōu)越的導(dǎo)電性,在1MK0H和0.5M??H2S〇4中電流密度達(dá)到10?mA?cm-2所需的過電位分別為125?mV和180?mV。??,?▲?....



本文編號:3912226

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