發(fā)布時間：2024-02-18 03:00

　　利用脈沖激光沉積技術(shù)(PLD)在MgO單晶片基底上制備Ce_0.8Sm_0.2O_2-δ/ZrO₂∶Y₂O₃(SDC/YSZ)雙層電解質(zhì)薄膜。X射線衍射儀(XRD)和掃描電子顯微鏡(SEM)的結(jié)果顯示SDC/YSZ雙層電解質(zhì)薄膜沿(111)方向擇優(yōu)生長,隨著退火溫度的升高,薄膜變得均勻致密,結(jié)晶度得到改善,(111)衍射峰強(qiáng)度變大,擇優(yōu)生長取向明顯;電化學(xué)測量表明,SDC/YSZ雙層電解質(zhì)薄膜的離子電導(dǎo)率比單層YSZ薄膜的離子電導(dǎo)率高。

【文章頁數(shù)】：4 頁

【文章目錄】：
1 引言
2 實驗
3 實驗結(jié)果與討論
    3.1 SDC/YSZ雙層電解質(zhì)薄膜的SEM分析
    3.2 SDC/YSZ雙層電解質(zhì)薄膜的XRD分析
    3.3 SDC/YSZ雙層電解質(zhì)薄膜的EDX分析
    3.4 SDC/YSZ雙層電解質(zhì)薄膜的的交流阻抗譜分析
4 結(jié)論



本文編號：3901779