在太陽光的照射下,半導體光催化劑分解水可以得到氫氣和氧氣,氫氣燃燒又得到水,整個循環(huán)清潔環(huán)保,能同時解決能源和環(huán)境問題。因此,自上世紀五十年代以來,大量的光催化劑相繼被開發(fā)出來,但是光催化產氫速率較低,尋求一種高效的光催化劑一直是人們研究的熱點。貴金屬納米顆粒常用作光解水產氫的助催化劑,它的功函數(shù)通常比半導體的導帶低,在光催化劑表面形成表面態(tài)能級,能有效的俘獲催化劑的光生電子,抑制電子與空穴的復合,提高光化學轉化效率。大量的研究表明,貴金屬納米顆粒的催化性能與其形貌、晶體結構、尺寸等影響因素有關。本文以Pt基凹面體為助催化劑,考察了其對CdS納米棒可見光分解水制氫的影響。具體研究內容為:1.Pt立方凹面體的制備及其對CdS納米棒光催化分解水制氫性能的影響以H₂PtCl₆為前驅體,甘氨酸和PVP分別作為還原劑和表面活性劑,采用水熱法合成了納米Pt立方凹面體(Pt CCs),并將Pt CCs通過光誘導沉積在CdS納米棒表面。結構表征顯示,在200℃合成10 h得到的Pt納米顆粒呈現(xiàn)明顯的凹面體結構,顆粒尺寸為17 nm左右。對比Pt/CdS和Cd...

【文章頁數(shù)】：73 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖1-1光催化分解水反應機理示意圖

圖1-1光催化分解水反應機理示意圖[2]的分解電壓為1.23eV，但是由于水分解過程中過電位的存在，半導體光催化劑寬度通常要大于1.8eV。此外，光催化分解水產氫反應需要滿足熱力學和動力從熱力學上來說，光催化半導體材料的能帶位置要與析氫和析氧的反應電勢相帶位置要比氫電....

圖1-2常見半導體光催化劑能帶位置圖

圖1-1光催化分解水反應機理示意圖[2]的分解電壓為1.23eV，但是由于水分解過程中過電位的存在，半導體光催化劑寬度通常要大于1.8eV。此外，光催化分解水產氫反應需要滿足熱力學和動力從熱力學上來說，光催化半導體材料的能帶位置要與析氫和析氧的反應電勢相帶位置要比氫電....

圖2-2不同合成溫度的PtCCs的TEM圖

合成溫度：a-160℃，b-180℃，c-200℃，d-220℃圖2-2不同合成溫度的PtCCs的TEM圖2-3為不同合成時間得到的PtCCs的透射電鏡照片。結合產氫性能測試s/CdS產氫活性最高，則控制合成溫度為200℃，改變合成時間為5....

圖2-3為不同合成時間得到的PtCCs的透射電鏡照片

合成溫度：a-160℃，b-180℃，c-200℃，d-220℃圖2-2不同合成溫度的PtCCs的TEM圖2-3為不同合成時間得到的PtCCs的透射電鏡照片。結合產氫性能測試s/CdS產氫活性最高，則控制合成溫度為200℃，改變合成時間為5....

本文編號：3899916