CuBi 2 O 4 基催化劑的構(gòu)建及光電析氫性能的研究
發(fā)布時間:2024-02-03 09:16
環(huán)境污染和能源危機已成為制約人類社會發(fā)展的兩大主要難題。光電(PEC)水解制氫可以將太陽能轉(zhuǎn)換為易存儲的清潔能源-氫能,被認(rèn)為是最有希望的產(chǎn)能方式之一。光電陰極材料需要適當(dāng)?shù)膸?1.5-2.4 eV)以吸收大部分太陽光,同時也要具備良好的化學(xué)和物理穩(wěn)定性,在地球的儲量較多且合成成本低。近年來,CuBi2O4由于其足夠窄的直接帶隙(1.8 eV),合適的帶邊緣位置和低成本等多種優(yōu)點,被認(rèn)為是PEC水分解的理想材料之一。然而,由于電荷載流子遷移率低,反應(yīng)動力學(xué)以及由于與電解質(zhì)溶液接觸時的自我光電腐蝕引起的不穩(wěn)定性導(dǎo)致材料光電轉(zhuǎn)換效率相對較差,限制了其在PEC水分解中的應(yīng)用和競爭力。設(shè)計合成高效穩(wěn)定的CuBi2O4基光電陰極材料是目前最熱的研究之一。本論文研究內(nèi)容主要包含以下個三部分。1.采用模板法和高溫煅燒的方法制備3D多孔CuBi2O4薄膜,并通過光還原的方法制備CuBi2O4/PTh p-n異質(zhì)結(jié)復(fù)合光電陰極,...
【文章頁數(shù)】:71 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【文章目錄】:
中文摘要
Abstract
第一章 緒論
1.1 引言
1.2 半導(dǎo)體納米材料
1.2.1 光電半導(dǎo)體材料研究歷史及現(xiàn)狀
1.2.2 復(fù)合半導(dǎo)體的類型
1.2.3 半導(dǎo)體的催化機理
1.3 CuBi2O4的材料特性
1.3.1 CuBi2O4的基本性質(zhì)
1.3.2 CuBi2O4的制備方法
1.3.3 CuBi2O4光電催化效率的改善途徑
1.4 論文的研究思路和內(nèi)容
1.4.1 研究思路
1.4.2 研究內(nèi)容
參考文獻(xiàn)
第二章 異質(zhì)結(jié)光電催化劑CuBi2O4/PTh的制備及光電析氫性能的研究
2.1 前言
2.2 實驗部分
2.2.1 試劑
2.2.2 PS球的制備
2.2.3 制備3D多孔CuBi2O4薄膜
2.2.4 制備CBO/PTh復(fù)合陰極材料
2.2.5 光電化學(xué)測試
3.2.6 材料的結(jié)構(gòu)表征與電化學(xué)表征
2.3 結(jié)果與討論
2.4 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第三章 CuBi2O4/Au/N,Cu-C納米復(fù)合材料的制備及光電性質(zhì)研究
3.1 前言
3.2 實驗部分
3.2.1 試劑
3.2.2 制備CuBi2O4薄膜
3.2.3 光還原法制備Au改性CuBi2O4薄膜
3.2.4 制備CuBi2O4/Au/N,Cu-C納米復(fù)合材料
3.2.5 光電化學(xué)測試
3.2.6 材料的結(jié)構(gòu)表征與電化學(xué)表征
3.3 結(jié)果與討論
3.4 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第四章 CuBi2O4/MWCNTs/N,Ni-C納米復(fù)合材料的制備及光電性質(zhì)研究
4.1 前言
4.2 實驗部分
4.2.1 試劑
4.2.2 制備CuBi2O4薄膜
4.2.3 制備CuBi2O4/MWCNTs薄膜
4.2.4 制備CuBi2O4/MWCNTs/N,Ni-C納米復(fù)合材料
4.2.5 光電化學(xué)測試
4.2.6 材料的結(jié)構(gòu)表征與電化學(xué)表征
4.3 結(jié)果與討論
4.4 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
結(jié)論
在學(xué)期間研究成果
致謝
本文編號:3894071
【文章頁數(shù)】:71 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【文章目錄】:
中文摘要
Abstract
第一章 緒論
1.1 引言
1.2 半導(dǎo)體納米材料
1.2.1 光電半導(dǎo)體材料研究歷史及現(xiàn)狀
1.2.2 復(fù)合半導(dǎo)體的類型
1.2.3 半導(dǎo)體的催化機理
1.3 CuBi2O4的材料特性
1.3.1 CuBi2O4的基本性質(zhì)
1.3.2 CuBi2O4的制備方法
1.3.3 CuBi2O4光電催化效率的改善途徑
1.4 論文的研究思路和內(nèi)容
1.4.1 研究思路
1.4.2 研究內(nèi)容
參考文獻(xiàn)
第二章 異質(zhì)結(jié)光電催化劑CuBi2O4/PTh的制備及光電析氫性能的研究
2.1 前言
2.2 實驗部分
2.2.1 試劑
2.2.2 PS球的制備
2.2.3 制備3D多孔CuBi2O4薄膜
2.2.4 制備CBO/PTh復(fù)合陰極材料
2.2.5 光電化學(xué)測試
3.2.6 材料的結(jié)構(gòu)表征與電化學(xué)表征
2.3 結(jié)果與討論
2.4 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第三章 CuBi2O4/Au/N,Cu-C納米復(fù)合材料的制備及光電性質(zhì)研究
3.1 前言
3.2 實驗部分
3.2.1 試劑
3.2.2 制備CuBi2O4薄膜
3.2.3 光還原法制備Au改性CuBi2O4薄膜
3.2.4 制備CuBi2O4/Au/N,Cu-C納米復(fù)合材料
3.2.5 光電化學(xué)測試
3.2.6 材料的結(jié)構(gòu)表征與電化學(xué)表征
3.3 結(jié)果與討論
3.4 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第四章 CuBi2O4/MWCNTs/N,Ni-C納米復(fù)合材料的制備及光電性質(zhì)研究
4.1 前言
4.2 實驗部分
4.2.1 試劑
4.2.2 制備CuBi2O4薄膜
4.2.3 制備CuBi2O4/MWCNTs薄膜
4.2.4 制備CuBi2O4/MWCNTs/N,Ni-C納米復(fù)合材料
4.2.5 光電化學(xué)測試
4.2.6 材料的結(jié)構(gòu)表征與電化學(xué)表征
4.3 結(jié)果與討論
4.4 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
結(jié)論
在學(xué)期間研究成果
致謝
本文編號:3894071
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