近年來(lái),半導(dǎo)體光催化技術(shù)成為解決環(huán)境污染問(wèn)題和緩解能源危機(jī)的重要手段。在眾多光催化劑中,CdS因其合適的帶隙成為半導(dǎo)體光催化領(lǐng)域中最具應(yīng)用前景的研究對(duì)象之一。但是,CdS存在光生電子-空穴對(duì)復(fù)合率高以及易發(fā)生光腐蝕的缺陷,這在很大程度上限制了它的實(shí)際應(yīng)用。人們普遍認(rèn)為,CdS發(fā)生光腐蝕導(dǎo)致生成在其表面的S覆蓋了反應(yīng)活性位點(diǎn),影響了對(duì)可見(jiàn)光的吸收,從而抑制了CdS的光催化產(chǎn)氫活性。然而,C、P、S等元素半導(dǎo)體因其獨(dú)特的性質(zhì)在尋求廉價(jià)、高效光催化劑的過(guò)程中受到廣泛關(guān)注。其中,研究表明S作為元素半導(dǎo)體具有微弱的光電催化分解水產(chǎn)氫活性。鑒于以上分析,本文從能帶匹配的角度出發(fā),選擇儲(chǔ)量豐富、成本低廉且性質(zhì)穩(wěn)定的單質(zhì)S對(duì)CdS進(jìn)行表面改性,設(shè)計(jì)出高活性和高穩(wěn)定性的復(fù)合光催化劑,并通過(guò)系統(tǒng)的表征手段對(duì)光催化增強(qiáng)機(jī)制進(jìn)行了研究。本論文的主要研究?jī)?nèi)容如下:(1)通過(guò)簡(jiǎn)單的溶劑揮發(fā)-沉積-沉淀法制備了一系列的S/CdS復(fù)合光催化劑,采用XRD、SEM、TEM、XPS、UV-vis DRS以及電化學(xué)測(cè)試等表征手段分析了制備樣品的結(jié)構(gòu)、形貌、元素組成、光學(xué)特征和電化學(xué)性質(zhì)。在可見(jiàn)光下(λ>400nm),...

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

本文編號(hào)：3878613