超填孔鍍銅是印制電路板上孔金屬化制程的關(guān)鍵技術(shù),而添加劑又是超填孔鍍銅工藝的核心,因此圍繞鍍銅添加劑開(kāi)展研究工作十分重要。本文以五元雜環(huán)、對(duì)甲苯衍生物為研究對(duì)象,在對(duì)比分析有機(jī)物分子結(jié)構(gòu)特點(diǎn)的基礎(chǔ)上,對(duì)其進(jìn)行理論計(jì)算和電化學(xué)行為研究,揭示有機(jī)物分子中特征官能團(tuán)對(duì)其在銅層表面吸附行為、沉銅速度以及填孔效果的影響,并對(duì)性能優(yōu)異的加速劑分子進(jìn)行了盲孔鍍銅配方的設(shè)計(jì)優(yōu)化。通過(guò)對(duì)含氮五元雜環(huán)的對(duì)比研究,明確了硫原子、碳硫雙鍵以及苯環(huán)對(duì)銅沉積過(guò)程的影響。理論計(jì)算結(jié)果表明:這些特征官能團(tuán)均可增強(qiáng)分子在銅層表面的吸附能力,其中硫原子是分子在銅層表面吸附的關(guān)鍵。電化學(xué)測(cè)試結(jié)果表明:在有氯離子(Cl-)存在的情況下,這些有機(jī)物分子均可加速銅沉積,加速能力的強(qiáng)弱順序?yàn)?四氫噻唑硫酮(H1)>乙烯硫脲(N)>2-巰基苯并噻唑>2-巰基苯并咪唑>噻唑>咪唑。此外,深入研究了 H1與Cl-的作用關(guān)系,結(jié)果表明二者在銅層表面會(huì)發(fā)生競(jìng)爭(zhēng)性吸附。以性能優(yōu)異的H1和N為加速劑,進(jìn)行盲孔鍍銅配方的設(shè)計(jì),通過(guò)鍍液體系的調(diào)控,最終實(shí)現(xiàn)了對(duì)盲孔的超填充,填孔率分別為:80.2%和74.9%。接下來(lái),...

【文章頁(yè)數(shù)】：95 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 研究背景
    1.2 PCB板及微盲孔的概述
        1.2.1 PCB及HDI的生產(chǎn)與應(yīng)用
        1.2.2 盲孔的設(shè)計(jì)與應(yīng)用
    1.3 盲孔超填充
        1.3.1 酸性硫酸鹽鍍銅體系
        1.3.2 鍍銅加速劑的研究現(xiàn)狀
        1.3.3 超填孔機(jī)理
    1.4 分子的理論計(jì)算
    1.5 本文研究的主要內(nèi)容
第二章 實(shí)驗(yàn)材料和研究方法
    2.1 實(shí)驗(yàn)藥品和實(shí)驗(yàn)儀器
    2.2 理論計(jì)算
        2.2.1 量子化學(xué)計(jì)算
        2.2.2 分子動(dòng)力學(xué)模擬
    2.3 電化學(xué)測(cè)試
        2.3.1 計(jì)時(shí)電位法
        2.3.2 線性伏安掃描法
        2.3.3 循環(huán)伏安法
        2.3.4 交流阻抗法
    2.4 盲孔填充實(shí)驗(yàn)
        2.4.1 盲孔填充實(shí)驗(yàn)流程
        2.4.2 填孔性能表征
第三章 有機(jī)物分子的結(jié)構(gòu)分析與理論計(jì)算
    3.1 引言
    3.2 有機(jī)分子的量化計(jì)算
        3.2.1 含氮五元雜環(huán)分子的量化計(jì)算與分析
        3.2.2 對(duì)甲苯衍生物的量化計(jì)算與分析
    3.3 有機(jī)分子的動(dòng)力學(xué)模擬
        3.3.1 含氮五元雜環(huán)分子的動(dòng)力學(xué)模擬
        3.3.2 對(duì)甲苯衍生物的動(dòng)力學(xué)模擬
    3.4 本章小結(jié)
第四章 含氮五元雜環(huán)分子對(duì)銅沉積過(guò)程的影響
    4.1 引言
    4.2 含氮五元雜環(huán)分子在銅層表面的吸附性能
    4.3 含氮五元雜環(huán)分子的電化學(xué)行為
        4.3.1 含氮五元雜環(huán)分子對(duì)沉銅速度的影響
        4.3.2 含氮雜環(huán)分子加速銅沉積的原因
        4.3.3 乙烯硫脲特殊電化學(xué)行為原因探究
        4.3.4 四氫噻唑硫酮與氯離子的相互作用
    4.4 含氮五元雜環(huán)有機(jī)分子的填孔性能及調(diào)控
        4.4.1 含氮五元雜環(huán)有機(jī)分子的填孔性能
        4.4.2 乙烯硫脲與四氫噻唑硫酮的填孔效果調(diào)控
    4.5 本章小結(jié)
第五章 對(duì)甲苯衍生物分子對(duì)銅沉積過(guò)程的影響
    5.1 引言
    5.2 對(duì)甲苯衍生物分子在銅層表面的吸附性能
    5.3 對(duì)甲苯衍生物的電化學(xué)行為
        5.3.1 濃度對(duì)對(duì)甲苯衍生物分子在沉銅過(guò)程中的影響規(guī)律
        5.3.2 氯離子對(duì)對(duì)甲苯衍生物分子在沉銅過(guò)程中的影響規(guī)律
        5.3.3 對(duì)流強(qiáng)度對(duì)對(duì)甲苯衍生物分子在沉銅過(guò)程中的影響規(guī)律
    5.4 對(duì)甲苯衍生物中特征官能團(tuán)(HSO3
-基團(tuán))的作用探究
        5.4.1 磺酸根基團(tuán)對(duì)分子吸附的影響
        5.4.2 磺酸根基團(tuán)對(duì)沉銅速度的影響
    5.5 對(duì)甲苯衍生物分子的填孔性能及調(diào)控
        5.5.1 對(duì)甲苯衍生物填孔性能差異分析
        5.5.2 對(duì)甲苯磺酸鈉體系填孔效果效果調(diào)控
    5.6 本章小結(jié)
第六章 結(jié)論與展望
    6.1 結(jié)論
    6.2 展望
參考文獻(xiàn)
致謝
研究成果
作者及導(dǎo)師簡(jiǎn)介
附件



本文編號(hào)：3843866

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