盲孔鍍銅加速劑分子的理論計算和電化學(xué)研究
發(fā)布時間:2023-08-26 03:30
超填孔鍍銅是印制電路板上孔金屬化制程的關(guān)鍵技術(shù),而添加劑又是超填孔鍍銅工藝的核心,因此圍繞鍍銅添加劑開展研究工作十分重要。本文以五元雜環(huán)、對甲苯衍生物為研究對象,在對比分析有機物分子結(jié)構(gòu)特點的基礎(chǔ)上,對其進行理論計算和電化學(xué)行為研究,揭示有機物分子中特征官能團對其在銅層表面吸附行為、沉銅速度以及填孔效果的影響,并對性能優(yōu)異的加速劑分子進行了盲孔鍍銅配方的設(shè)計優(yōu)化。通過對含氮五元雜環(huán)的對比研究,明確了硫原子、碳硫雙鍵以及苯環(huán)對銅沉積過程的影響。理論計算結(jié)果表明:這些特征官能團均可增強分子在銅層表面的吸附能力,其中硫原子是分子在銅層表面吸附的關(guān)鍵。電化學(xué)測試結(jié)果表明:在有氯離子(Cl-)存在的情況下,這些有機物分子均可加速銅沉積,加速能力的強弱順序為:四氫噻唑硫酮(H1)>乙烯硫脲(N)>2-巰基苯并噻唑>2-巰基苯并咪唑>噻唑>咪唑。此外,深入研究了 H1與Cl-的作用關(guān)系,結(jié)果表明二者在銅層表面會發(fā)生競爭性吸附。以性能優(yōu)異的H1和N為加速劑,進行盲孔鍍銅配方的設(shè)計,通過鍍液體系的調(diào)控,最終實現(xiàn)了對盲孔的超填充,填孔率分別為:80.2%和74.9%。接下來,...
【文章頁數(shù)】:95 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
1.1 研究背景
1.2 PCB板及微盲孔的概述
1.2.1 PCB及HDI的生產(chǎn)與應(yīng)用
1.2.2 盲孔的設(shè)計與應(yīng)用
1.3 盲孔超填充
1.3.1 酸性硫酸鹽鍍銅體系
1.3.2 鍍銅加速劑的研究現(xiàn)狀
1.3.3 超填孔機理
1.4 分子的理論計算
1.5 本文研究的主要內(nèi)容
第二章 實驗材料和研究方法
2.1 實驗藥品和實驗儀器
2.2 理論計算
2.2.1 量子化學(xué)計算
2.2.2 分子動力學(xué)模擬
2.3 電化學(xué)測試
2.3.1 計時電位法
2.3.2 線性伏安掃描法
2.3.3 循環(huán)伏安法
2.3.4 交流阻抗法
2.4 盲孔填充實驗
2.4.1 盲孔填充實驗流程
2.4.2 填孔性能表征
第三章 有機物分子的結(jié)構(gòu)分析與理論計算
3.1 引言
3.2 有機分子的量化計算
3.2.1 含氮五元雜環(huán)分子的量化計算與分析
3.2.2 對甲苯衍生物的量化計算與分析
3.3 有機分子的動力學(xué)模擬
3.3.1 含氮五元雜環(huán)分子的動力學(xué)模擬
3.3.2 對甲苯衍生物的動力學(xué)模擬
3.4 本章小結(jié)
第四章 含氮五元雜環(huán)分子對銅沉積過程的影響
4.1 引言
4.2 含氮五元雜環(huán)分子在銅層表面的吸附性能
4.3 含氮五元雜環(huán)分子的電化學(xué)行為
4.3.1 含氮五元雜環(huán)分子對沉銅速度的影響
4.3.2 含氮雜環(huán)分子加速銅沉積的原因
4.3.3 乙烯硫脲特殊電化學(xué)行為原因探究
4.3.4 四氫噻唑硫酮與氯離子的相互作用
4.4 含氮五元雜環(huán)有機分子的填孔性能及調(diào)控
4.4.1 含氮五元雜環(huán)有機分子的填孔性能
4.4.2 乙烯硫脲與四氫噻唑硫酮的填孔效果調(diào)控
4.5 本章小結(jié)
第五章 對甲苯衍生物分子對銅沉積過程的影響
5.1 引言
5.2 對甲苯衍生物分子在銅層表面的吸附性能
5.3 對甲苯衍生物的電化學(xué)行為
5.3.1 濃度對對甲苯衍生物分子在沉銅過程中的影響規(guī)律
5.3.2 氯離子對對甲苯衍生物分子在沉銅過程中的影響規(guī)律
5.3.3 對流強度對對甲苯衍生物分子在沉銅過程中的影響規(guī)律
5.4 對甲苯衍生物中特征官能團(HSO3
-基團)的作用探究
5.4.1 磺酸根基團對分子吸附的影響
5.4.2 磺酸根基團對沉銅速度的影響
5.5 對甲苯衍生物分子的填孔性能及調(diào)控
5.5.1 對甲苯衍生物填孔性能差異分析
5.5.2 對甲苯磺酸鈉體系填孔效果效果調(diào)控
5.6 本章小結(jié)
第六章 結(jié)論與展望
6.1 結(jié)論
6.2 展望
參考文獻
致謝
研究成果
作者及導(dǎo)師簡介
附件
本文編號:3843866
【文章頁數(shù)】:95 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
1.1 研究背景
1.2 PCB板及微盲孔的概述
1.2.1 PCB及HDI的生產(chǎn)與應(yīng)用
1.2.2 盲孔的設(shè)計與應(yīng)用
1.3 盲孔超填充
1.3.1 酸性硫酸鹽鍍銅體系
1.3.2 鍍銅加速劑的研究現(xiàn)狀
1.3.3 超填孔機理
1.4 分子的理論計算
1.5 本文研究的主要內(nèi)容
第二章 實驗材料和研究方法
2.1 實驗藥品和實驗儀器
2.2 理論計算
2.2.1 量子化學(xué)計算
2.2.2 分子動力學(xué)模擬
2.3 電化學(xué)測試
2.3.1 計時電位法
2.3.2 線性伏安掃描法
2.3.3 循環(huán)伏安法
2.3.4 交流阻抗法
2.4 盲孔填充實驗
2.4.1 盲孔填充實驗流程
2.4.2 填孔性能表征
第三章 有機物分子的結(jié)構(gòu)分析與理論計算
3.1 引言
3.2 有機分子的量化計算
3.2.1 含氮五元雜環(huán)分子的量化計算與分析
3.2.2 對甲苯衍生物的量化計算與分析
3.3 有機分子的動力學(xué)模擬
3.3.1 含氮五元雜環(huán)分子的動力學(xué)模擬
3.3.2 對甲苯衍生物的動力學(xué)模擬
3.4 本章小結(jié)
第四章 含氮五元雜環(huán)分子對銅沉積過程的影響
4.1 引言
4.2 含氮五元雜環(huán)分子在銅層表面的吸附性能
4.3 含氮五元雜環(huán)分子的電化學(xué)行為
4.3.1 含氮五元雜環(huán)分子對沉銅速度的影響
4.3.2 含氮雜環(huán)分子加速銅沉積的原因
4.3.3 乙烯硫脲特殊電化學(xué)行為原因探究
4.3.4 四氫噻唑硫酮與氯離子的相互作用
4.4 含氮五元雜環(huán)有機分子的填孔性能及調(diào)控
4.4.1 含氮五元雜環(huán)有機分子的填孔性能
4.4.2 乙烯硫脲與四氫噻唑硫酮的填孔效果調(diào)控
4.5 本章小結(jié)
第五章 對甲苯衍生物分子對銅沉積過程的影響
5.1 引言
5.2 對甲苯衍生物分子在銅層表面的吸附性能
5.3 對甲苯衍生物的電化學(xué)行為
5.3.1 濃度對對甲苯衍生物分子在沉銅過程中的影響規(guī)律
5.3.2 氯離子對對甲苯衍生物分子在沉銅過程中的影響規(guī)律
5.3.3 對流強度對對甲苯衍生物分子在沉銅過程中的影響規(guī)律
5.4 對甲苯衍生物中特征官能團(HSO3
-基團)的作用探究
5.4.1 磺酸根基團對分子吸附的影響
5.4.2 磺酸根基團對沉銅速度的影響
5.5 對甲苯衍生物分子的填孔性能及調(diào)控
5.5.1 對甲苯衍生物填孔性能差異分析
5.5.2 對甲苯磺酸鈉體系填孔效果效果調(diào)控
5.6 本章小結(jié)
第六章 結(jié)論與展望
6.1 結(jié)論
6.2 展望
參考文獻
致謝
研究成果
作者及導(dǎo)師簡介
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本文編號:3843866
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