用電化學(xué)沉積方法制備了ZnO納米柱陣列。在Zn(NO₃)₂基礎(chǔ)電解液中加入新電解質(zhì)并引入NH₄NO₃和Ga(NO₃)₃,實(shí)現(xiàn)了對(duì)ZnO納米柱陣列的帶隙、近帶邊發(fā)射、斯托克斯位移、直徑、密度等物理性質(zhì)的設(shè)計(jì)和裁剪�？稍�63～77 nm操控納米柱的直徑。增加電解液中的Ga(NO₃)₃濃度,陣列的密度可降低到7.0×10⁹/cm²。新加入電解液中的鹽類使ZnO納米柱的帶隙藍(lán)移～50 meV并使光致發(fā)光圖譜中的近帶邊發(fā)射藍(lán)移53～73 meV以及斯托克斯位移藍(lán)移23 meV,表明可對(duì)其非輻射復(fù)合進(jìn)行抑制設(shè)計(jì)和裁剪。

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【文章目錄】：
1 實(shí)驗(yàn)方法
    1.1 Zn O納米柱陣列的制備
    1.2 Zn O納米柱陣列的表征
2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果和討論
    2.1 Zn O納米柱陣列的直徑和密度
    2.2 Zn O納米柱的透射反射性質(zhì)及其光學(xué)帶隙
    2.3 Zn O納米柱的近帶邊發(fā)射藍(lán)移和斯托克斯位移
3 結(jié)論



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