從高效太陽能電池結(jié)構(gòu)要求出發(fā),分析了超薄氧化層的作用,在自研設(shè)備的基礎(chǔ)上,采用強(qiáng)氧化性的O₂等離子體與硅前驅(qū)體進(jìn)行了PEALD沉積研究。在源瓶溫度80℃、沉積溫度200℃的工藝條件下,薄膜單循環(huán)沉積速率達(dá)到0.12 nm。對沉積的氧化硅進(jìn)行致密性HF腐蝕測試,腐蝕速率為4.8 nm/min。薄膜致密性已接近熱氧化法制備的氧化硅薄膜。

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【文章目錄】：
1 原子層沉積技術(shù)
    1.1 原子層沉積技術(shù)的原理
    1.2 ALD技術(shù)的特征及優(yōu)勢
2 實(shí)驗(yàn)
    2.1 實(shí)驗(yàn)裝置
    2.2 SiO2的PEALD沉積工藝
3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果和討論
4 結(jié)論



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