利用兩步法-金屬輔助化學(xué)刻蝕法(metal-assisted chemical etching, MACE)制備硅納米線(silicon nanowires,SINWs)樣品。研究了刻蝕溫度、刻蝕時(shí)間、過氧化氫(H₂O₂)濃度對(duì)樣品SINWs的形貌和反射率影響。研究發(fā)現(xiàn),隨著刻蝕時(shí)間增加, SINWs樣品的長(zhǎng)度隨之增加,而反射率降低。H₂O₂濃度提高, SINWs樣品的長(zhǎng)度也增加,在濃度為0.1 mol/L時(shí)反射率降至最低�？涛g溫度升高, SINWs樣品的長(zhǎng)度先增加,然后隨著SINWs生長(zhǎng)速率變快的同時(shí)樣品的形貌結(jié)構(gòu)遭到破壞,反射率呈總體上升趨勢(shì)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,改變制備過程中的反應(yīng)條件,對(duì)SINWs的形貌會(huì)具有較大影響,同時(shí)SINWs陣列的反射率也會(huì)改變。SINWs的反射率強(qiáng)烈依賴于SINWs的長(zhǎng)度、規(guī)整程度和空隙率大小等。

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【文章目錄】：
0 引言
1 實(shí)驗(yàn)部分
2 結(jié)果與討論
    2.1 刻蝕溫度對(duì)SINWs形貌和反射率影響
    2.2 刻蝕時(shí)間對(duì)SINWs形貌和反射率影響
    2.3 不同過氧化氫(H2O2)濃度對(duì)SINWs形貌和反射率影響
3 結(jié)論



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