發(fā)布時間：2023-05-07 06:25

　　該文采用一種新型的氣-固(VS)生長法合成了高質(zhì)量、大面積的二氧化釩(Vanadium Oxide,VO₂)薄膜。在該合成反應(yīng)過程中,VO₂薄膜生長的質(zhì)量受諸多因素的影響。比如,生長溫度、時間和氣壓,惰性載入氣體流速,前軀體的數(shù)量,以及襯底的種類和位置等。文中系統(tǒng)地研究了生長時間和溫度對VO₂薄膜生長質(zhì)量的影響,并對其進(jìn)行了優(yōu)化調(diào)控。利用掃描電子顯微鏡對該VO₂薄膜進(jìn)行的形貌分析表明,該VO₂薄膜是由尺寸不一的晶粒連接而成的多晶界薄膜,表面具有較高的平整度。單晶尺寸最大可達(dá)120μm,平均尺寸40μm。

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 實驗部分
    1.1 實驗概述
    1.2 實驗過程
2 實驗結(jié)果與分析
    2.1 生長溫度對薄膜厚度的影響
    2.2 生長時間對薄膜厚度的影響
3 實驗結(jié)果的測試
    3.1 VO2薄膜的電阻隨溫度變化的測試
    3.2 VO2薄膜的X射線衍射測試
4 結(jié)論



本文編號：3810460