該文采用一種新型的氣-固(VS)生長(zhǎng)法合成了高質(zhì)量、大面積的二氧化釩(Vanadium Oxide,VO₂)薄膜。在該合成反應(yīng)過程中,VO₂薄膜生長(zhǎng)的質(zhì)量受諸多因素的影響。比如,生長(zhǎng)溫度、時(shí)間和氣壓,惰性載入氣體流速,前軀體的數(shù)量,以及襯底的種類和位置等。文中系統(tǒng)地研究了生長(zhǎng)時(shí)間和溫度對(duì)VO₂薄膜生長(zhǎng)質(zhì)量的影響,并對(duì)其進(jìn)行了優(yōu)化調(diào)控。利用掃描電子顯微鏡對(duì)該VO₂薄膜進(jìn)行的形貌分析表明,該VO₂薄膜是由尺寸不一的晶粒連接而成的多晶界薄膜,表面具有較高的平整度。單晶尺寸最大可達(dá)120μm,平均尺寸40μm。

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【文章目錄】：
0 引言
1 實(shí)驗(yàn)部分
    1.1 實(shí)驗(yàn)概述
    1.2 實(shí)驗(yàn)過程
2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析
    2.1 生長(zhǎng)溫度對(duì)薄膜厚度的影響
    2.2 生長(zhǎng)時(shí)間對(duì)薄膜厚度的影響
3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果的測(cè)試
    3.1 VO2薄膜的電阻隨溫度變化的測(cè)試
    3.2 VO2薄膜的X射線衍射測(cè)試
4 結(jié)論



本文編號(hào)：3810460