二維過(guò)渡金屬硫族化合物(TMDs)因其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的光電性能而備受關(guān)注。在光電子領(lǐng)域的應(yīng)用中,豐富的帶隙是必不可少的。但是,TMDs材料的帶隙種類卻十分有限,因此,TMDs的帶隙工程成為研究的熱點(diǎn)之一。研究發(fā)現(xiàn),TMDs的合金化能調(diào)控該材料的帶隙,達(dá)到豐富TMDs帶隙的目的。本論文以氯化鈉輔助化學(xué)氣相沉積法為手段,探究了單層二硫化鉬(MoS₂)的可控生長(zhǎng)。然后在其基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了可調(diào)帶隙的單層硒硫化鉬合金(MoS_2xSe₍2(1-x)))的制備并對(duì)其光致發(fā)光性能進(jìn)行了研究。具體研究?jī)?nèi)容如下:(1)通過(guò)探究影響單層MoS₂晶體生長(zhǎng)的四個(gè)因素:生長(zhǎng)溫度、反應(yīng)物的用量、襯底的種類和輔助生長(zhǎng)劑NaCl的用量,從而尋找到NaCl輔助CVD法制備單層MoS₂晶體的最佳生長(zhǎng)條件。并對(duì)最佳生長(zhǎng)條件下制備的樣品進(jìn)行了光學(xué)顯微鏡、拉曼光譜等表征,結(jié)果表明,該生長(zhǎng)條件下制備的樣品為單層MoS₂晶體。在熔融玻璃襯底上,單個(gè)MoS₂晶體的尺寸可達(dá)400μm,S...

【文章頁(yè)數(shù)】：55 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
致謝
中文摘要
ABSTRACT
1 緒論
    1.1 引言
    1.2 二維過(guò)渡金屬硫族化合物的結(jié)構(gòu)與性能
        1.2.1 二維過(guò)渡金屬硫族化合物的結(jié)構(gòu)
        1.2.2 二維過(guò)渡金屬硫族化合物的光學(xué)性能
        1.2.3 二維過(guò)渡金屬硫族化合物的電子學(xué)性能
        1.2.4 二維過(guò)渡金屬硫族化合物的機(jī)械性能
    1.3 二維過(guò)渡金屬硫族化合物的應(yīng)用
        1.3.1 電子領(lǐng)域的應(yīng)用
        1.3.2 能源領(lǐng)域的應(yīng)用
        1.3.3 傳感器領(lǐng)域的應(yīng)用
    1.4 二維過(guò)渡金屬硫族化合物及其合金的制備方法
        1.4.1 二維過(guò)渡金屬硫族化合物的制備
        1.4.2 二維過(guò)渡金屬硫族化合物合金的制備方法
    1.5 本文選題依據(jù)及主要研究?jī)?nèi)容
2 氯化鈉輔助CVD法制備單層二硫化鉬的研究
    2.1 本章引論
    2.2 實(shí)驗(yàn)部分
        2.2.1 實(shí)驗(yàn)原理及方案
        2.2.2 實(shí)驗(yàn)試劑和儀器
        2.2.3 實(shí)驗(yàn)流程
    2.3 單層二硫化鉬最佳生長(zhǎng)條件的研究
        2.3.1 生長(zhǎng)溫度對(duì)二硫化鉬生長(zhǎng)的影響
        2.3.2 反應(yīng)物的用量對(duì)二硫化鉬生長(zhǎng)的影響
        2.3.3 不同種類的襯底對(duì)二硫化鉬生長(zhǎng)的影響
        2.3.4 氯化鈉用量對(duì)二硫化鉬生長(zhǎng)的影響
    2.4 二硫化鉬的生長(zhǎng)質(zhì)量分析
    2.5 本章小結(jié)
3 氯化鈉輔助CVD法制備單層硒硫化鉬合金的研究
    3.1 本章引論
    3.2 實(shí)驗(yàn)部分
    3.3 硒硫化鉬合金的生長(zhǎng)質(zhì)量分析
    3.4 硒硫化鉬合金的帶隙調(diào)控
    3.5 本章小結(jié)
4 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
作者簡(jiǎn)歷及攻讀碩士學(xué)位期間取得的研究成果
學(xué)位論文數(shù)據(jù)集



本文編號(hào)：3809867