<正>3.2脫羥過(guò)程主要參數(shù)變化圖5所示為熔制過(guò)程中SiO₂疏松體平均溫度（T_a）和平均孔隙率（φ_a）隨時(shí)間的變化曲線。可以看出,疏松體平均溫度的升高趨勢(shì)和圖3所示的頂面升溫曲線保持一致。在10h時(shí)頂面溫度為1 000℃,疏松體平均溫度為997.5℃,兩者較為接近。這是由于高溫下輻射換熱較為強(qiáng)烈,頂面的高溫很快傳遞到疏松體內(nèi)部。由于35h之前疏松體還未燒結(jié),所以φ_a保持初始值不變。在35h以后,疏松體開(kāi)始發(fā)生燒結(jié),φ_a開(kāi)始下降。當(dāng)脫羥進(jìn)行到76.3h時(shí),疏松體全部燒結(jié)為石英錠,此后隨著溫度升高石英錠的孔隙率維持在設(shè)定的最低值0.01。 

【文章來(lái)源】：玻璃搪瓷與眼鏡. 2020,48(01)

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【部分圖文】：

熔制過(guò)程中SiO2疏松體平均溫度（Ta）和平均孔隙率（φa）隨時(shí)間的變化

圖6和圖7分別展示了不同時(shí)刻SiO2疏松體內(nèi)部（即圖2所示SiO2疏松體區(qū)域）的溫度及孔隙率的分布情況。圖7 不同時(shí)刻SiO2疏松體內(nèi)部孔隙率的等值線分布

圖6 不同時(shí)刻SiO2疏松體的溫度分布（單位：℃）從圖6可以看出，不同時(shí)刻下的等溫線分布幾乎相同。在10～70h時(shí)間段內(nèi)，由于升溫速率較慢，每個(gè)時(shí)刻下的疏松體內(nèi)部溫差非常小，不超過(guò)1℃。在70h以后升溫速率加快，76.2h時(shí)疏松體最大溫差約為5℃。在當(dāng)前模型中孔隙率是由溫度決定的，因此孔隙率與溫度的分布規(guī)律相似。從圖7可以看出，前3個(gè)時(shí)刻下孔隙率的等值線分布也幾乎相同，且孔隙率的差值很小。在76.2h時(shí)，疏松體上部的溫度已經(jīng)超過(guò)了1 400℃，從76.2h時(shí)刻的孔隙率分布可以看出，疏松體上部已經(jīng)降到了最小孔隙率，且疏松體底部為最后燒結(jié)的區(qū)域。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]石英玻璃及其水晶原料中羥基的研究[J]. 周永恒,顧真安.  硅酸鹽學(xué)報(bào). 2002(03)

博士論文
[1]石英玻璃及原料中羥基的研究[D]. 周永恒.中國(guó)建筑材料科學(xué)研究院 2002



本文編號(hào)：3623567