隨著電磁干擾技術(shù)的廣泛應(yīng)用,對(duì)具有“帶內(nèi)透波,帶外隱身”特性的陶瓷材料提出了迫切的需求,期望該類材料對(duì)于天線工作頻點(diǎn)以外頻率的干擾信號(hào)不透明。常規(guī)介質(zhì)材料的電磁學(xué)特性由材料本身決定,電磁透明的窗口不能被調(diào)控,無帶外抑制功能,不利于電子對(duì)抗、隱身等功能的實(shí)現(xiàn),因此需要研究特殊結(jié)構(gòu)及特性的隱身-透波一體化陶瓷材料。本文以硅粉為原料,Sm₂O₃為燒結(jié)助劑,α-Si₃N₄為稀釋劑,利用一次氣氛壓力燒結(jié)結(jié)合二次微波燒結(jié)法制備了多孔氮化硅陶瓷,材料具有長(zhǎng)柱狀β相氮化硅交織的微觀結(jié)構(gòu),氣孔率小于78%,介電常數(shù)可在2.5-8之間調(diào)節(jié),當(dāng)加入含量為30wt.%的稀釋劑時(shí),可有效降低反應(yīng)溫度,控制其晶粒尺寸小于1μm。進(jìn)一步優(yōu)化了多孔氮化硅陶瓷的孔結(jié)構(gòu),以α-Si₃N₄為原料,Y2O3和Al2O3為燒結(jié)助劑,水為升華介質(zhì),采用冷凍干燥法工藝獲得了孔道結(jié)構(gòu)可控的多孔氮化硅陶瓷,所制備材料的介電常數(shù)在1.4-4.0之間可調(diào)控,并形成了枝晶主結(jié)構(gòu)和長(zhǎng)柱狀β相氮化硅結(jié)合的定向孔結(jié)構(gòu)... 

【文章來源】：哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省211工程院校985工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】：155 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

常見介電損耗型吸波材料的電性能對(duì)吸收系數(shù)的影響

圖 1-2 晶格摻雜 SiCk 吸收劑晶體結(jié)構(gòu)模擬圖[100-104]uctures of lattice doping SiC absorbers（a）B doping SiC（（c）Al doping SiC（d）Ni doping SiC圖 1-3 鈦酸鋇晶體結(jié)構(gòu)Fig. 1-3 Crystal structure of barium titanate

圖 1-2 晶格摻雜 SiCk 吸收劑晶體結(jié)構(gòu)模擬圖[100-104]rystal stuctures of lattice doping SiC absorbers（a）B doping SiC（b）N d（c）Al doping SiC（d）Ni doping SiC

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
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碩士論文
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本文編號(hào)：3617971