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熱壓燒結制備碳化硅強韌化ZTA陶瓷及其機制

發(fā)布時間:2022-02-09 12:32
  Al2O3陶瓷材料具有高硬度、良好的耐磨性和非常穩(wěn)定的化學性質等優(yōu)點,但是較低的斷裂韌性(3-4 MPa·m1/2)和抗彎強度(400-600 MPa)限制了其應用,因此對Al2O3陶瓷進行強韌化非常必要,而復合協(xié)同增韌具有更好的效果。本研究以A1203、3Y-Zr02為原料,碳化硅晶須(SiCw)和碳化硅顆粒(SiCp)為增韌劑,MgO為燒結助劑,熱壓燒結制備了力學性能優(yōu)異的SiC/ZTA復合陶瓷,并分析了其力學性能、微觀結構及其強韌化機制。首先,研究了球磨時間對SiC/ZTA復合陶瓷力學性能的影響。結果表明,隨著球磨時間增加,抗彎強度提高,當球磨時間增至10h,復合陶瓷的抗彎強度趨于穩(wěn)定。其次,研究了燒結溫度、SiCw和SiCp的含量對SiC/ZTA復合陶瓷力學性能的影響。結果表明,隨著燒結溫度從1430℃升高到1630℃,復合陶瓷材料的維氏硬度、相對密度、抗彎強度和斷裂韌性都先增加后減小,在1530℃時達到最大且陶瓷完全燒結。因此確定SiC/ZTA復合陶瓷的最佳燒結溫度為1530℃。研究發(fā)現(xiàn),當添加SiCw時,隨著SiCw質量從0增加到26 wt%時,復合陶瓷的平均晶粒尺寸從75... 

【文章來源】:海南大學海南省211工程院校

【文章頁數(shù)】:52 頁

【學位級別】:碩士

【部分圖文】:

熱壓燒結制備碳化硅強韌化ZTA陶瓷及其機制


圖1-丨晶須的増韌機制示意圖(Campbell,1990).??Fig.1-1?Schematic?representation?of?the?mechanisms?that?contribute?to?toughening?by??whiskers(CampbelI,1990).??

球磨時間,抗彎強度,樣品,復合陶瓷


樣品為代表,研宄了?SiCw的球磨時間對SiC/ZTA復合陶瓷抗彎強度的影響。原料??Al2〇3、Zr〇2、SiCp和MgO球磨時間為10h,SiCw的球磨時間分另ij設為;Zh和10h,??圖2-1為S11樣品的抗彎強度測量結果。當SiCw的球磨時間由2?h增加至10?h時,??材料的抗彎強度平均值有所增加,測量值更穩(wěn)定?梢姡黾忧蚰r間可使SiCw在??基體中均勻分散,有效減少晶須的團聚。因此,在利用SiCw對A1203基復合陶瓷進??行補強增韌時選擇合適的球磨時間,可實現(xiàn)SiCw的均勻分散,有利于提高SiC/ZTA??復合陶瓷的力學性能。實驗中所有需要加入SiCw的樣品,球磨時間都設定為10?h。??1300?-??卞??霄1200?-??|?x??S?1100?-??£??"〇)?1〇〇〇?-?GyyiSS??^?9〇〇?-???丄??V)??ro?800?-??3??2?7〇〇?-??600?-??500??,?1???2h?10h??Second?milling?time?(h)??圖2-1球磨時間對Sll樣品抗彎強度的影響。圖中粗實線表示中位數(shù)

斷裂表面,圖像,復合陶瓷


wt%的范圍內變化時,可獲得力學性能優(yōu)異的SiCWZTA復合陶瓷。??3.2.4顯微結構和晶粒尺寸??圖3-9為利用熱壓燒結法制備的含有不同SiCw質量的SiCw/ZTA復合陶瓷的斷??面形貌。圖3-9(a)是SiCw含量為0的復合陶瓷的斷面SEM圖片,可以看出Zr02晶??粒與A1203基體結合較好,沒有明顯的氣孔和缺陷,相對密度可達99.69%(圖3-7)。??圖3-9b、c、d分別為S5、S2、S6樣品的斷面SEM圖片,黃色箭頭指示SiCw拔出??現(xiàn)象。由圖3-9b和c可知S5,?S2中SiCw在ZTA基體中分散均句,復合陶瓷的力學??性能隨SiCw的增加逐漸提高(圖3-8)。圖3-9d中SiCw嚴重團聚形成缺陷,由于SiCw??含量過高時,很難在基體中將其完全分散,SiCw之間就會形成搭橋效應造成嚴重的??缺陷,從而降低了材料的力學性能(見圖3-8)。??圖3-9?(a-d)?SiCw/ZTA陶瓷的斷裂表面的SEM圖像

【參考文獻】:
期刊論文
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[10]A12O3陶瓷自增韌研究進展[J]. 鐘長榮,畢松,蘇勛家,侯根良.  粉末冶金材料科學與工程. 2007(04)

碩士論文
[1]ZrO2/Al2O3系層狀復合陶瓷材料的研究[D]. 馬玉柱.重慶大學 2002



本文編號:3617013

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