硅是電子信息產(chǎn)業(yè)和光伏產(chǎn)業(yè)的主要功能材料,單晶爐是單晶硅的主要生產(chǎn)設(shè)備,單晶爐中熔融硅液面位置的檢測精度直接影響了晶體的質(zhì)量。液面位置測量的不準確,會導(dǎo)致硅晶體雜質(zhì)的增加,還會引起晶體中的原生點缺陷,研究單晶爐液位檢測具有理論意義及工程實際應(yīng)用價值。本文在綜合分析國內(nèi)外資料的基礎(chǔ)上,完成了如下工作:用高斯曲線模型擬合單晶硅彎月面光環(huán)的邊緣灰度梯度,提取出光環(huán)的亞像素邊緣點,作為立體匹配的特征點;采用基于極線搜索的匹配算法,匹配兩臺相機圖像的光環(huán)邊緣,并通過匹配代價的曲線擬合實現(xiàn)匹配點的亞像素細化,精確地檢測出彎月面光環(huán)的三維位置,光環(huán)豎直方向的位置變化也就是熔融硅的液面位置變化;編寫了單晶爐雙目視覺液位檢測軟件,設(shè)計并搭建了雙目視覺測量實驗平臺,驗證了該軟件的測量精度,結(jié)果表明,該軟件系統(tǒng)符合晶體生長所需的精度要求。雙目視覺液位檢測系統(tǒng)不需要很大的視野范圍,避免了熱場結(jié)構(gòu)的不對稱,能夠降低晶體生長的工藝調(diào)節(jié)難度。文章主要內(nèi)容如下:第一章闡述了單晶硅的重要性以及單晶爐中的液位對晶體生長的影響,并具體分析了現(xiàn)有單晶爐液位檢測方案的不足。同時概述了視覺測量領(lǐng)域,尤其是雙目視覺領(lǐng)域的研究成果,... 

【文章來源】：浙江大學(xué)浙江省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：93 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１．１單晶硅棒與硅片??從高純度多晶硅中制備單晶硅的主要方法有直拉法［３］（ＣＺ法）和區(qū)熔法（ＦＺ??

浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文??況下，選擇晶體半徑和晶體生長速率作為被控對象；加熱器功率、晶體提拉速率??和坩堝上升速率是主要的操縱變量［５］。圖１．２為區(qū)熔法和直拉法制備單晶硅的示??意圖。??ｍ??觀??Ａ??Ｉ??ｆｉｉ?ｐｗ??（ａ）區(qū)熔法?（ｂ）直拉法??圖１．２區(qū)熔法與直拉法示意圖??目前大部分的單晶硅是利用直拉法制備的，使用直拉法制備單晶硅的設(shè)備稱??為單晶硅直拉法生產(chǎn)爐，簡稱單晶爐［６１。在過去，國內(nèi)的單晶硅生產(chǎn)設(shè)備主要依??靠國外進口，主要單晶爐設(shè)備生產(chǎn)廠商為美國的凱克斯公司（Ｋａｙｅｘ）�，F(xiàn)在國內(nèi)制??造水平提高，單晶爐設(shè)備逐漸國產(chǎn)化，國內(nèi)的京運通、永泰和天龍光電等知名企??業(yè)紛紛投入單晶爐的設(shè)備生產(chǎn)中，其中，浙江晶盛機電股份有限公司憑借其優(yōu)良??的技術(shù)水平，走在單晶爐設(shè)備生產(chǎn)的前列。晶盛機電股份有限公司的單晶爐也是??本課題的主要研究對象。??；Ｐ?的■食砰；??＇－＇?Ｕ琴［１／??．意“?ＥＳＩ??ｉ．＇?羞，??．？?ｍ－ｊｘ

浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文??況下，選擇晶體半徑和晶體生長速率作為被控對象；加熱器功率、晶體提拉速率??和坩堝上升速率是主要的操縱變量［５］。圖１．２為區(qū)熔法和直拉法制備單晶硅的示??意圖。??ｍ??觀??Ａ??Ｉ??ｆｉｉ?ｐｗ??（ａ）區(qū)熔法?（ｂ）直拉法??圖１．２區(qū)熔法與直拉法示意圖??目前大部分的單晶硅是利用直拉法制備的，使用直拉法制備單晶硅的設(shè)備稱??為單晶硅直拉法生產(chǎn)爐，簡稱單晶爐［６１。在過去，國內(nèi)的單晶硅生產(chǎn)設(shè)備主要依??靠國外進口，主要單晶爐設(shè)備生產(chǎn)廠商為美國的凱克斯公司（Ｋａｙｅｘ）�，F(xiàn)在國內(nèi)制??造水平提高，單晶爐設(shè)備逐漸國產(chǎn)化，國內(nèi)的京運通、永泰和天龍光電等知名企??業(yè)紛紛投入單晶爐的設(shè)備生產(chǎn)中，其中，浙江晶盛機電股份有限公司憑借其優(yōu)良??的技術(shù)水平，走在單晶爐設(shè)備生產(chǎn)的前列。晶盛機電股份有限公司的單晶爐也是??本課題的主要研究對象。??；Ｐ?的■食砰；??＇－＇?Ｕ琴［１／??．意“?ＥＳＩ??ｉ．＇?羞，??．？?ｍ－ｊｘ

【參考文獻】：
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本文編號：3610201