二維（單層）材料的相關(guān)理論與技術(shù)的發(fā)展帶動(dòng)了相關(guān)基礎(chǔ)科學(xué)與應(yīng)用領(lǐng)域的快速發(fā)展。二維過渡金屬硫?qū)倩锞哂袔犊蛇x擇范圍寬、多相性、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定且元素儲(chǔ)量豐富等優(yōu)異特性,已在催化、儲(chǔ)能、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、傳感器、超導(dǎo)、鐵電、可穿戴電子設(shè)備以及生物醫(yī)學(xué)等方面獲得了重要的應(yīng)用。進(jìn)一步將二維材料的平面尺寸縮減為量子尺寸（<10 nm）時(shí),將產(chǎn)生新的物理、化學(xué)性質(zhì)并促進(jìn)相關(guān)應(yīng)用的發(fā)展。然而,目前關(guān)于二維過渡金屬硫?qū)倩锪孔悠≦S）材料的調(diào)控制備方面的研究非常欠缺,其難點(diǎn)在于對(duì)尺寸影響因素的認(rèn)知和調(diào)控。調(diào)控制備方法的欠缺進(jìn)而導(dǎo)致了二維過渡金屬硫?qū)倩锪孔悠牧系南嚓P(guān)應(yīng)用及性能研究也十分欠缺。為此,本研究以第6族過渡金屬硫?qū)倩餅檠芯繉?duì)象,采用控制條件下的電化學(xué)嵌Li結(jié)合液相剝離技術(shù)對(duì)二維第6族過渡金屬硫?qū)倩锏钠矫娉叽绾?T相含量進(jìn)行了有效調(diào)控,獲得了高1T相含量的二維第6族過渡金屬硫?qū)倩锪孔悠牧�。�?duì)電化學(xué)方法的碎化機(jī)理進(jìn)行了深入研究并據(jù)此開創(chuàng)了一種量化制備1T-MoS₂量子片材料的方法。本研究進(jìn)而對(duì)制備獲得的二維1T-MoS₂量子片材料在電催化水... 

【文章來源】：上海交通大學(xué)上海市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：177 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

不同種類的二維（2D）納米材料[17]

結(jié)構(gòu)式為MX2的層狀過渡金屬硫?qū)倩锏脑亟M成[28]

結(jié)構(gòu)式為MX2的層狀過渡金屬硫?qū)倩锏木w結(jié)構(gòu)示意圖[61]

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Investigation of Single-Wall MoS2 Monolayer Flakes Grown by Chemical Vapor Deposition[J]. Nihan Kosku Perkgoz,Mehmet Bay.  Nano-Micro Letters. 2016(01)



本文編號(hào)：3597725