氮化硅具有良好的機(jī)械性能、抗氧化性和電絕緣性,是一種綜合性能優(yōu)良的材料。通過(guò)研究發(fā)現(xiàn),氮化硅陶瓷還具有良好的理論熱導(dǎo)率。隨著高性能電力電子器件需求的不斷增加,解決電子器件的散熱問(wèn)題成為發(fā)展高性能電力電子器件重點(diǎn),而氮化硅材料被認(rèn)為是一種具有潛力的高速電路和大功率電子器件散熱基板和封裝材料,所以如何提升氮化硅材料的實(shí)際熱導(dǎo)率得到了科研人員的關(guān)注。本文以α-Si₃N₄粉體和β-Si₃N₄晶須作為原料,選用PVA、甘油、液體石蠟作為有機(jī)添加劑,通過(guò)軋膜成型制備出氮化硅生坯,最終采用氣壓燒結(jié)的方法制備出晶粒定向排列的氮化硅陶瓷材料。采用X射線衍射儀、掃描電鏡、透射電鏡、力學(xué)性能測(cè)試儀、激光導(dǎo)熱分析儀等分析測(cè)試手段對(duì)材料的組成,微觀組織結(jié)構(gòu)、力學(xué)性能、熱導(dǎo)率、取向因子等進(jìn)行研究,分析總結(jié)出β-Si₃N₄晶須的含量、燒結(jié)助劑的含量對(duì)制備的氮化硅性能的影響。經(jīng)過(guò)研究表明,在氮化硅陶瓷中,β-Si₃N₄晶須的加入起到了模板晶粒的... 

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

Si3N4的晶體中Si-N層的排列方式

晶格氧與熱阻率的關(guān)系

圖 1-6 氮化硅陶瓷內(nèi)部三叉晶界相 圖 1-7 氮化硅陶瓷內(nèi)部晶界相薄膜) 晶相及排列取向?qū)釋?dǎo)率的影響在氮化硅陶瓷中常見(jiàn)的晶型有兩種，即 α-Si3N4相和 β-Si3N4相，α-Si3N4相種自身有缺陷的結(jié)構(gòu)，具有較強(qiáng)的溶氧能力，它每 30 個(gè) N 原子中就會(huì)有一個(gè)

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
[1]Si3N4陶瓷SPS制備及微觀組織與導(dǎo)熱性能研究[D]. 劉巍.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2016
[2]高性能氮化硅的制備及其性能研究[D]. 李勇霞.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2013
[3]BN織構(gòu)陶瓷的制備與性能研究[D]. 吳志亮.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2012
[4]多孔氮化硅透波材料的制備與性能研究[D]. 畢紅雨.山東理工大學(xué) 2009



本文編號(hào)：3592525