ZnO是一種透明氧化物半導(dǎo)體材料,室溫下的禁帶寬度為3.37eV。通過向ZnO中摻入Cd元素得到ZnCdO合金,可以有效減小ZnO的禁帶寬度,從而調(diào)節(jié)ZnO的光致發(fā)光從紫外至綠光波段。然而,由于p型ZnO制備困難,人們通常選擇用p型GaN來代替p型ZnO制備ZnO基異質(zhì)結(jié)發(fā)光器件。又由于p-GaN中載流子濃度和遷移率不高,制備的n-ZnO/p-GaN異質(zhì)結(jié)器件的發(fā)光主要發(fā)生在p-GaN一側(cè)。為了解決n-ZnCdO/p-GaN異質(zhì)結(jié)器件中n-ZnCdO一側(cè)發(fā)光弱的問題并提高器件的發(fā)光效率,本論文主要從兩方面入手:在n-ZnCdO/p-GaN異質(zhì)結(jié)中插入MgO高阻層來實現(xiàn)n-ZnCdO一側(cè)載流子復(fù)合發(fā)光;加入Ag納米顆粒來提高異質(zhì)結(jié)器件的發(fā)光效率。論文主要研究內(nèi)容如下:（1）在藍寶石襯底上采用真空熱蒸發(fā)法蒸鍍Ag薄膜,并通過高溫真空退火工藝制備了Ag納米顆粒。通過改變Ag薄膜厚度和退火時間來獲得對Ag納米顆粒不同形貌的調(diào)控,結(jié)果發(fā)現(xiàn)在真空300℃下退火45min時能獲得圓對稱性較好的Ag納米顆粒,且隨著Ag薄膜厚度增加,所形成的Ag納米顆粒消光譜中偶極子共振峰逐漸紅移,同時半高寬展寬。（2... 

【文章來源】：深圳大學(xué)廣東省

【文章頁數(shù)】：107 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

六方纖鋅礦型的ZnO晶體結(jié)構(gòu)示意圖

ZnO中由于晶體場分裂和自旋-軌道分裂形成的能帶示意圖

（a）ZnO體單晶低溫PL全譜圖；（b）PL譜帶邊放大圖


本文編號：3577884