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熔石英表面雜質(zhì)元素在酸蝕過(guò)程中的變化

發(fā)布時(shí)間:2021-12-18 19:50
  為了探尋熔石英表面痕量雜質(zhì)元素種類以及隨HF酸蝕刻過(guò)程中的變化情況,用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%HF酸溶液對(duì)熔石英進(jìn)行長(zhǎng)達(dá)24,48,72,96h的靜態(tài)蝕刻實(shí)驗(yàn)。結(jié)合飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜(TOF-SIMS)和X射線光電子能譜(XPS)測(cè)試分析結(jié)果發(fā)現(xiàn),熔石英試片表面的痕量雜質(zhì)元素主要含有B,F,K,Ca,Na,Al,Zn和Cr元素,其中絕大部分都存在于貝氏層中,在亞表面缺陷層檢測(cè)到有K,Ca元素。所含有的K,Na雜質(zhì)元素會(huì)與氟硅酸反應(yīng)生成氟硅酸鹽化合物。分析表明,在HF酸蝕刻的過(guò)程中一部分雜質(zhì)元素將被消除,一部分雜質(zhì)元素和生成氟硅酸鹽化合物會(huì)隨著蝕刻液逐漸從熔石英表面向表面縱深方向擴(kuò)散并被試片吸附沉積,且隨著深度的加深各元素的相對(duì)含量逐漸減少。 

【文章來(lái)源】:強(qiáng)激光與粒子束. 2016,28(08)北大核心CSCD

【文章頁(yè)數(shù)】:7 頁(yè)

【部分圖文】:

熔石英表面雜質(zhì)元素在酸蝕過(guò)程中的變化


圖2熔石英蝕刻不同時(shí)間的電鏡掃描示意圖Fig.2SEMmicrographsoffusedsilicasurfaceetchedfordifferenttime

熔石英,質(zhì)元,窄譜,化學(xué)態(tài)


6(solid)(2)其中M為雜質(zhì)元素;诜磻(yīng)方程式(1),(2)可知,反應(yīng)過(guò)程中反應(yīng)中間產(chǎn)物為SiF2-6離子,由于該離子在溶液中的溶解度有限,且熔石英表面有較強(qiáng)的吸附作用,又因?yàn)槲g刻表面存在較小的擴(kuò)散系數(shù)且有相對(duì)大的反應(yīng)產(chǎn)物來(lái)源,所以為了確定表面上是否含有(M)2/NSiF6(solid)這類物質(zhì),對(duì)兩塊試片中的F元素進(jìn)行了化學(xué)態(tài)的分析。在理想情況下,XPS每個(gè)譜峰所屬面積的大小應(yīng)是表面所含元素豐度的度量,是進(jìn)行定量分析的依據(jù)。如圖8所示,經(jīng)《XPS結(jié)合能對(duì)照表》核準(zhǔn),發(fā)現(xiàn)FS-0-0試片表面上F1s亞層的光電子峰中存在有分子式?CH2—CF2?n,?CF2CF2?n和K2SiF6化學(xué)態(tài)形成的能譜峰,而在FS-96-1試片上新增了Na2SiF6化學(xué)態(tài)Fig.8XPSnarrowspectrumofimpurityelementFinfusedsilica圖8熔石英中雜質(zhì)元素F元素的XPS窄譜殷玉春等:熔石英表面雜質(zhì)元素在酸蝕過(guò)程中的變化

示意圖,熔石英,嵌入深度,示意圖


081004-3Fig.2SEMmicrographsoffusedsilicasurfaceetchedfordifferenttime圖2熔石英蝕刻不同時(shí)間的電鏡掃描示意圖Fig.3AFMmorphologyoffusedsilicaafteretchingfordifferenttime圖3熔石英經(jīng)不同時(shí)間蝕刻后的AFM形貌示意圖只檢測(cè)到了K,Ca元素,且雜質(zhì)元素隨著離子濺射深度的加深逐漸降低,最終嵌入深度最深的K元素的二次離子產(chǎn)額在達(dá)到200nm時(shí)保持恒定并降至最低;由圖4(b)可以看出,Ca元素嵌入深度達(dá)到44nm,其余存在的雜質(zhì)元素嵌入深度均小于12nm。圖5是熔石英經(jīng)不同時(shí)間蝕刻后的表面雜質(zhì)元素二次離子產(chǎn)額隨深度變化的分布曲線。從圖中可知,因?yàn)榻?jīng)1%HF酸蝕刻24h后表面貝氏層被蝕刻掉了,原存在于貝氏層的部分雜質(zhì)元素以及反應(yīng)生成的氟硅酸鹽化合物就嵌入或被吸附到熔石英缺陷層中并達(dá)到20nm深度,此時(shí)二次離子產(chǎn)額降至最低并保持恒定,蝕刻48h時(shí)嵌入深度達(dá)到30nm,蝕刻72h時(shí)嵌入深度達(dá)到50nm,以及蝕刻96h時(shí)部分貝氏層雜質(zhì)元素的嵌入深度已經(jīng)達(dá)到80nm以上;與此同時(shí),位于亞表面缺陷層中Ca元素也在一定程度上往縱深方向上擴(kuò)散,隨著蝕刻時(shí)間的增加嵌入深度依次達(dá)到60,80,100和120nm。由此可得熔石英表面雜質(zhì)元素隨著HF酸蝕刻時(shí)間的增加逐漸向熔石英表面縱深方向擴(kuò)散并被吸附沉積,根據(jù)圖5中離子產(chǎn)額曲線趨勢(shì)判斷,各元素的相對(duì)殷玉春等:熔石英表面雜質(zhì)元素在酸蝕過(guò)程中的變化

【參考文獻(xiàn)】:
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本文編號(hào):3543072

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