本文關(guān)鍵詞：三氧化二鉻薄膜的制備及應(yīng)用研究進(jìn)展

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【摘要】：三氧化二鉻(Cr_2O_3)薄膜具有高熔點(diǎn)、高硬度、低摩擦系數(shù)和耐磨損等優(yōu)點(diǎn),是應(yīng)用非常廣泛的一種薄膜材料。介紹了Cr_2O_3薄膜常用的制備方法,包括化學(xué)氣相沉積法、蒸發(fā)誘導(dǎo)組裝法、磁控濺射法、脈沖激光沉積法、分子束外延法等,并進(jìn)行了比較分析。闡述了Cr_2O_3薄膜在擴(kuò)散阻擋層、耐磨損保護(hù)層、薄膜電阻器件、金屬材料保護(hù)層、電子開(kāi)關(guān)材料、電極材料、氣敏材料等方面的應(yīng)用。對(duì)Cr_2O_3薄膜的制備方法及應(yīng)用進(jìn)行了展望。
【作者單位】： 國(guó)防科技大學(xué)新型陶瓷纖維及其復(fù)合材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 薄膜 三氧化二鉻 制備 應(yīng)用
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(51502344)
【分類號(hào)】：TQ136.11;TB383.2
【正文快照】： 三氧化二鉻(Cr2O3)作為鉻最為穩(wěn)定的氧化物,由于具有優(yōu)良的力學(xué)、物理與化學(xué)性能而受到廣泛的研究。著重介紹幾種制備Cr2O3薄膜的方法和Cr2O3薄膜近期的應(yīng)用研究進(jìn)展。1 Cr2O3薄膜的制備方法1.1化學(xué)氣相沉積法1.1.1脈沖噴霧蒸發(fā)化學(xué)氣相沉積(PSE-CVD)PSE-CVD法采用脈沖進(jìn)樣和

【相似文獻(xiàn)】

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