快速冷凍干燥法制備多孔氧化硅陶瓷
本文關(guān)鍵詞:快速冷凍干燥法制備多孔氧化硅陶瓷
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【摘要】:為制備氧化硅多孔陶瓷,嘗試了快速冷凍干燥法,探索了氧化硅漿體的分散劑和pH值對(duì)孔結(jié)構(gòu)的影響。結(jié)果表明:使用0.1wt%六偏磷酸鈉作為分散劑時(shí),孔壁處團(tuán)聚現(xiàn)象明顯;改用聚甲基丙烯酸鈉團(tuán)聚顯著減少。主要原因是氧化硅表面的Si-OH可能與六偏磷酸鈉絡(luò)合成Si-Na_4P_6O_(18)~-,但其在水中易斷裂,減弱了顆粒之間排斥力,未能抑制團(tuán)聚;而聚甲基丙烯酸鈉吸附在氧化硅表面,可能形成Si-C_4H_5O_2等空間位阻抑制團(tuán)聚。在聚甲基丙烯酸鈉的基礎(chǔ)上再調(diào)節(jié)漿體pH值至~10使氧化硅的zeta電位達(dá)到~-60 mV,可更好抑制團(tuán)聚。綜上所述凍干法適合制備開(kāi)口通孔結(jié)構(gòu)的多孔氧化硅陶瓷。
【作者單位】: 北京科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院無(wú)機(jī)非金屬材料系;
【關(guān)鍵詞】: 快速冷凍干燥法 氧化硅多孔陶瓷 團(tuán)聚 分散劑 p H值
【基金】:北京市自然科學(xué)基金(2154052) 中國(guó)博士后基金(2014M560044) 中央高;究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)專(zhuān)項(xiàng)資金(FRF-TP-15-006A2)
【分類(lèi)號(hào)】:TQ174.7
【正文快照】: (Received 4 August 2015,accepted 8 October 2015)1引言隨著科技的進(jìn)步,電磁污染已經(jīng)成為一種主要的污染源,不僅干擾電子設(shè)備,而且傷害人體健康。吸波材料能夠吸收或衰減電磁波能量,已成為近年來(lái)材料領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一[1]。隨著在飛機(jī)發(fā)動(dòng)機(jī)高溫部件或航天飛行器等方面的應(yīng)
【相似文獻(xiàn)】
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中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條
1 權(quán)衡;馬小強(qiáng);王婷;;甲基丙烯酸縮水甘油酯制備工藝研究[A];“浙江宏達(dá)”杯第三屆全國(guó)印染新技術(shù)暨助劑新產(chǎn)品新成果學(xué)術(shù)交流會(huì)論文集[C];2009年
,本文編號(hào):963051
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