本文關(guān)鍵詞：磷含量對(duì)真空蒸鍍磷摻雜多晶硅薄膜的影響

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【摘要】：采用真空蒸鍍的方法制備磷摻雜多晶硅薄膜,研究了磷含量對(duì)多晶硅薄膜的表面形貌、組織結(jié)構(gòu)、晶粒尺寸及晶化率的影響。結(jié)果表明:隨著磷摻雜分?jǐn)?shù)的增加,多晶硅薄膜的晶粒尺寸和晶化率表現(xiàn)出先增加后降低的趨勢(shì),當(dāng)磷摻雜分?jǐn)?shù)為1%時(shí),薄膜晶粒尺寸達(dá)到最大值,為0.55μm,晶化率為96.82%,且晶粒的均勻性最佳。
【作者單位】： 大連大學(xué)表面工程中心;
【關(guān)鍵詞】： 真空蒸鍍 多晶硅薄膜 磷摻雜 晶化率
【基金】：金州新區(qū)科技計(jì)劃高新技術(shù)研究開發(fā)計(jì)劃·培育專項(xiàng)(2013-GX1-002)
【分類號(hào)】：TQ127.2;TB383.2
【正文快照】： *金州新區(qū)科技計(jì)劃高新技術(shù)研究開發(fā)計(jì)劃·培育專項(xiàng)(2013-GX1-002)駱旭梁:男,1990年生,碩士生,主要研究方向?yàn)椴牧媳砻娓男訣-mail:luoxuliang358@163.com王宙:通訊作者,1961年生,教授,主要研究方向?yàn)椴牧媳砻娓男訣-mail:wangzhou1961@163.com0引言多晶硅薄膜既具有晶體硅的電

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本文編號(hào)：729158