本文關(guān)鍵詞：寬禁帶半導(dǎo)體低維納米結(jié)構(gòu)力敏效應(yīng)的研究

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【摘要】：選擇了均勻沉淀法來制備氧化鋅納米顆粒,用PEG200進(jìn)行表面改性,使制備的氧化鋅納米顆粒更加分散。利用X-射線衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)表征證明了制備樣品是粒徑約20nm的氧化鋅納米顆粒,結(jié)晶性良好、粒徑均勻,單個(gè)顆粒呈米粒狀,顆粒相連呈薄片狀。最后通過半導(dǎo)體特性分析儀(Agilent 4156C)和精密阻抗特性分析儀(Agilent 4284A)分別測(cè)量了受不同力時(shí)的氧化鋅納米顆粒的特性粘度(I-V特性)和阻抗值,并進(jìn)行分析,得出其力敏特性。分析得出氧化鋅納米顆粒應(yīng)用于加速度傳感器、壓力傳感器、位移傳感器、振動(dòng)傳感器、角度傳感器等的可能性,具有廣泛的應(yīng)用前景。
【作者單位】： 鄭州科技學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： ZnO納米顆粒 低維 力敏效應(yīng)
【基金】：2015年鄭州市科技局科技攻關(guān)項(xiàng)目:基于多源環(huán)境信息感知下太陽能LED路燈節(jié)能控制系統(tǒng),項(xiàng)目號(hào):153PKJGG150
【分類號(hào)】：TB383.1;TQ132.41
【正文快照】： 寬禁帶半導(dǎo)體是指禁帶寬度大于或等于3.2 e V的半導(dǎo)體材料,也被稱為第三代半導(dǎo)體材料[1]。主要有金剛石、氮化鎵(Ga N)、碳化硅(Si C)、氧化鋅(Zn O)、和氮化鋁(Al N)等。與第一、二代半導(dǎo)體材料相比,第三代半導(dǎo)體材料禁帶寬度更寬,擊穿電場(chǎng)更大,熱導(dǎo)率更高,電子飽和速率更大,，

本文編號(hào)：645976