本文關(guān)鍵詞：銅基碳納米管復(fù)合薄膜電沉積制備工藝

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【摘要】：為獲得碳納米管分布均勻且導(dǎo)電性良好的銅基碳納米管復(fù)合材料,用超聲輔助攪拌復(fù)合電沉積方法制備了Cu/MWCNT復(fù)合薄膜.采用掃描電子顯微鏡(SEM)、四探針電阻率儀等研究了電沉積過程中復(fù)合電鍍液中碳納米管濃度、電鍍液p H值、脈沖電流密度等各項電沉積工藝參數(shù)以及不同退火溫度對復(fù)合薄膜的組織形貌和電阻率的影響規(guī)律.結(jié)果表明:改變鍍液中碳納米管含量和電鍍液的p H值可以改變鍍層中碳納米管的含量及分布,MWCNTs質(zhì)量濃度升高到2 g/L時,復(fù)合薄膜中MWCNTs的質(zhì)量分?jǐn)?shù)達(dá)2.17%;改變電流密度可以細(xì)化鍍層組織并改善碳納米管在鍍層中的分布,從而提高鍍膜的致密度并降低鍍層的電阻率;合適的熱處理溫度可以改善薄膜結(jié)晶度和致密度,并提高導(dǎo)電性.鍍液中MWCNTs質(zhì)量濃度為2 g/L,電鍍液p H為2,電流密度為20 A/dm2,電鍍時溫度在25℃且加入超聲輔助攪拌時,所得到的復(fù)合鍍膜經(jīng)400℃退火后電阻率最低.
【作者單位】： 上海理工大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院;上海理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 碳納米管 銅基碳納米管復(fù)合薄膜 電化學(xué)沉積 電導(dǎo)率 制備
【基金】：國家自然科學(xué)基金項目(51201107) 上海市科委基礎(chǔ)研究重點(diǎn)項目(10JC1411800)
【分類號】：TB333;TQ153
【正文快照】： 以碳納米管作為增強(qiáng)相的復(fù)合材料,因其良好的力學(xué)性能[1]、優(yōu)異的導(dǎo)電導(dǎo)熱和抗磨損抗腐蝕特性[2],使其在工業(yè)領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景[3].近年來,科學(xué)家們對電化學(xué)沉積復(fù)合材料制備方法進(jìn)行了許多研究,與其他金屬/碳納米管復(fù)合材料的制備方法相比,電沉積復(fù)合材料制備技術(shù)具有生

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6 司e，

本文編號：543671