高溫氧化對超高溫陶瓷材料耦合傳熱的影響
本文關(guān)鍵詞:高溫氧化對超高溫陶瓷材料耦合傳熱的影響
更多相關(guān)文章: 超高溫陶瓷 氧化 耦合傳熱 數(shù)值模擬 CFD 有限元法
【摘要】:超高溫陶瓷材料暴露于極端高溫飛行環(huán)境中會導(dǎo)致其發(fā)生氧化,表面生成的氧化物具有不同的熱物性從而對傳熱過程造成影響。針對預(yù)氧化的ZrB_2和ZrB_2-SiC,基于氧化模型預(yù)測氧化層(ZrO_2、B_2O_3、SiO_2和SiC耗盡層)厚度,利用有限元建立圓柱形代表性體積單元,并與外部高超聲速流場的CFD(Computational Fluid Dynamics)求解器相耦合,研究了高溫氧化對超高溫陶瓷材料的耦合傳熱的影響。計(jì)算中采用分區(qū)求解方法,通過耦合界面處非匹配網(wǎng)格間的插值完成實(shí)時數(shù)據(jù)交換,實(shí)現(xiàn)了基于Navier-Stokes方程的流動求解器與有限元求解器的多場耦合計(jì)算。ZrB_2、ZrB_2-SiC以及氧化生成物的熱物性均為溫度相關(guān),通過理論計(jì)算給出了B_2O_3揮發(fā)及SiC耗盡導(dǎo)致的多孔結(jié)構(gòu)的有效熱導(dǎo)率和有效比熱容。瞬態(tài)耦合傳熱分析的結(jié)果表明:ZrB_2在預(yù)氧化后其熱阻能力略有提高,ZrB_2-SiC氧化前后的熱阻變化很小,并且在相同流動環(huán)境條件下,氧化后ZrB_2的熱阻能力高于氧化后ZrB_2-SiC的熱阻能力。
【作者單位】: 哈爾濱工業(yè)大學(xué)航天學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】: 超高溫陶瓷 氧化 耦合傳熱 數(shù)值模擬 CFD 有限元法
【基金】:裝備預(yù)先研究項(xiàng)目(51312070101) 裝備預(yù)研基金(9140A12030113HT01009) 中國博士后科學(xué)基金(2015M571403)
【分類號】:TQ174.1
【正文快照】: 網(wǎng)絡(luò)出版地址:www.cnki.net/kcms/detail/11.1801.TB.20151126.0829.004.html引用格式:周印佳,孟松鶴,解維華,等.高溫氧化對超高溫陶瓷材料耦合傳熱的影響[J].復(fù)合材料學(xué)報,2016,33(5):1079-1086.ZHOU Y J,MENG S H,XIE W H,et al.Effects of oxidation on coupled heat trans
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,本文編號:541556
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