本文關(guān)鍵詞：多組分摻雜ZnO薄膜的微觀結(jié)構(gòu)及電學(xué)性能研究

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【摘要】：采用射頻磁控濺射法在Si(111)襯底上制備多組分摻雜ZnO薄膜,研究了襯底溫度和氧分壓對Bi、Cr、Sb、Mn和Co摻雜ZnO薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌及電學(xué)性能的影響。結(jié)果表明:隨著襯底溫度的升高,ZnO(002)衍射峰相對強度先增強后減弱;薄膜表面粗糙度先減小后增大。隨著氧分壓的增大,ZnO的(101)、(102)和(103)衍射峰消失,薄膜呈優(yōu)異的(002)擇優(yōu)取向生長。在襯底溫度為300℃、氧分壓為50%時,Bi、Cr、Sb、Mn和Co所引起的缺陷和氧過剩引起的本征缺陷,共同形成受主態(tài)的復(fù)合缺陷,導(dǎo)致晶界勢壘激增。此時,薄膜有最優(yōu)化的壓敏電壓、非線性常數(shù)和漏電流,分別達到7.05V、20.83和0.58μA/mm~2。
【作者單位】： 江蘇大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： ZnO薄膜 多組分摻雜 射頻磁控濺射 襯底溫度 氧分壓 電學(xué)性質(zhì)
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(50451004)
【分類號】：TQ132.41;TB383.2
【正文快照】： ZnO作為一種新型的寬帶隙化合物半導(dǎo)體材料,具有六角纖鋅礦結(jié)構(gòu),室溫下3.3eV的帶寬,激子束縛能高達60meV[1];具有較好的壓敏電性能,是抑制瞬間高壓、吸收浪涌電能的理想器件,被廣泛應(yīng)用于電子電路的過壓保護[2-3]。隨著集成電路行業(yè),特別是大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路的快速發(fā)展

【相似文獻】

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1 李世彬;吳志明;朱魁鵬;蔣亞東;李偉;廖乃鏝;;襯底溫度對用RF-PECVD法制備的非晶硅薄膜光學(xué)性能影響[J];物理化學(xué)學(xué)報;2007年08期

2 ;[J];;年期

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本文編號：526104