SiC陶瓷以其獨(dú)特的物理化學(xué)性能在航空航天領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用前景。近年來航空航天領(lǐng)域的飛躍式發(fā)展對(duì)SiC陶瓷零件的加工形狀精度和表面質(zhì)量有了更高的要求,因而從優(yōu)化砂輪地貌和磨削工藝的角度去改善加工質(zhì)量、提高加工效率的努力顯得極為重要。目前,單顆磨粒磨削方法由于具有單顆磨粒切厚可控、磨削過程獨(dú)立的優(yōu)勢(shì)而常被用來研究SiC陶瓷的磨削去除機(jī)理。然而,磨削是砂輪表面大量磨粒共同參與切削材料的過程,單顆磨粒的方法無法準(zhǔn)確解釋整個(gè)砂輪磨削過程中的多顆磨粒的共同作用對(duì)材料去除的影響。因此,本文提出了雙磨粒磨削SiC陶瓷的磨粒間耦合作用的研究,基于有限元仿真和試驗(yàn)研究手段,確定耦合作用最強(qiáng)時(shí)的雙磨粒排布軸向間距,并在最佳磨粒排布條件下分析磨削參數(shù)對(duì)SiC陶瓷磨削加工的影響。本文主要工作及取得的成果如下:(1)進(jìn)行了兩顆磨粒磨削SiC陶瓷的有限元仿真,在不同的磨粒軸向間距條件下分析了第一主應(yīng)力和磨痕形貌,并根據(jù)磨削力、材料去除率的仿真結(jié)果,初步確定軸向間距在300μm左右時(shí),磨削過程中磨粒間耦合作用最強(qiáng)。(2)基于單層釬焊砂輪磨粒排布基本形式,進(jìn)行了兩顆磨粒變軸向間距磨削試驗(yàn),以磨削力、材料去除率為評(píng)價(jià)指...

【文章頁數(shù)】：71 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

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圖1.1壓痕斷裂力學(xué)模型

圖1.1壓痕斷裂力學(xué)模型，存在一個(gè)臨界載荷Pc。當(dāng)P<Pc時(shí)，陶瓷表面，中位徑向裂紋形成。Pc有如下公式：HEfHKPICc34數(shù)，f(E/H)為衰減函數(shù)，一般ξ·f(E/H)≈2×105；KI度，MPa。橫向裂紋并進(jìn)行延伸擴(kuò)展決定....

圖1.2帶有金剛石壓頭的單顆磨粒砂輪裝置

圖1.2帶有金剛石壓頭的單顆磨粒砂輪裝置軍[35]等人用可磨削熱電偶NI-DAQ設(shè)備測(cè)量了單顆金剛石磨削SiC陶瓷外圓且建立了基于試驗(yàn)法的SiC磨削溫度場(chǎng)分布模型。曹建國[36]研究了超聲輔助磨除機(jī)理，結(jié)果表明相比于傳統(tǒng)磨削，單顆磨�？虅澇龅陌疾凵疃容^深，且橫。Z....

圖1.3葉序模型示意

圖1.3葉序模型示意[47]等人用刻蝕法加工硅形成均布磨粒砂輪模型，探索了有序磨削狀態(tài)。肖冰[48]等人為研究磨粒有序排布工藝，制作了陣砂盤表面磨粒的有序分布狀態(tài)，并成功地將其運(yùn)用到釬焊工形狀進(jìn)行了磨粒分布，研究了砂輪的磨損性能。筆者所在課藝研究和釬焊砂輪磨削性能評(píng)價(jià)等方面做....

圖2.1兩顆磨�？虅澒ぜ疽鈭D

圖2.1兩顆磨�？虅澒ぜ疽鈭Db）分別是磨�？虅澒ぜ^程的主視圖和俯視圖，其中X和徑向。ap表示磨粒的磨削深度。d表示為兩顆磨粒的軸的距離。當(dāng)d由小逐步變到大時(shí)，兩條劃痕重疊部分逐步單顆磨粒的切削過程分析，兩顆磨粒在d較大時(shí)互相不影生互相干涉，在X方向上的干涉....

本文編號(hào)：3933949